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公开(公告)号:CN119812125A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411883230.7
申请日:2024-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/56
Abstract: 提供了芯片封装结构。芯片封装结构包括载体衬底。芯片封装结构包括位于载体衬底上方的芯片结构。芯片结构包括半导体衬底和器件层,半导体衬底具有正面和与正面相对的背面,正面面向载体衬底,并且器件层位于正面和载体衬底之间。芯片封装结构包括位于半导体衬底的背面上方的散热盖。散热盖具有板部分以及位于板部分下方的第一突出部分,并且第一突出部分从背面延伸至半导体衬底中。本申请的实施例还涉及芯片封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN119852264A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202411939074.1
申请日:2024-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/52
Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件可以包括:第一管芯,具有位于封装衬底上方的第一衬底;以及盖。第一通道可以穿过第一衬底从第一管芯的第一侧壁延伸至第一管芯的第二侧壁。盖可以包括:顶部部分,位于第一管芯上方;以及第一底部部分,沿第一管芯的第一侧壁延伸。第一底部部分可以包括连接至第一通道的第二通道。
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公开(公告)号:CN119852257A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202411970937.1
申请日:2024-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/473 , H01L23/467 , H01L23/38
Abstract: 液体冷却系统包括位于散热器板和散热器之间的热电冷却器(TEC),以及热电发生器(TEG),位于由来自芯片封装件的热量驱动TEG的位置处。芯片封装件由液体冷却系统的冷板冷却,并且TEC由TEG控制。TEG可以位于芯片封装件和冷板之间,或者可以位于芯片封装件内或与芯片封装件相邻的其他位置。TEG可以通过继电器控制TEC。当芯片封装件处于峰值负载时,TEG自动激活TEC。本公开的实施例还提供了热管理系统和热管理的方法。
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公开(公告)号:CN119812126A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411883233.0
申请日:2024-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/56 , H01L23/473
Abstract: 提供了封装结构及其形成方法。封装结构包括位于衬底上方的含芯片结构以及位于含芯片结构上方的散热盖。封装结构也包括嵌入在散热盖中或定位在散热盖上方的封闭室。封装结构还包括部分或完全由封闭室围绕的冷却管。
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