公开(公告)号：CN112582435B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202010930452.5

申请日：2020-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈重磊 ,  李承宗 ,  王文生 ,  郭建利

IPC: H10F39/18

Abstract: 本揭露实施例是有关于一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括储存器件，其中储存器件包括存储元件、第一介电层及光屏蔽元件。存储元件包括储存节点及储存晶体管栅极，其中储存晶体管栅极位于储存节点之上。第一介电层位于储存晶体管栅极的一部分之上。光屏蔽元件位于第一介电层上且包括半导体层。半导体层与存储元件电隔离，其中在平面上沿着存储元件与光屏蔽元件的堆叠方向的垂直投影中，光屏蔽元件与储存晶体管栅极的周界的至少一部分交叠，且堆叠方向垂直于所述平面。

公开(公告)号：CN118448428A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410449128.X

申请日：2024-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王文生 ,  范翌轩

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、衬底上的第一外延层、第一外延层上的第二外延层以及位于第一外延层或第二外延层中的至少一个中的光电二极管。光电二极管包括第一掺杂区和在第一掺杂区上方的第二掺杂区。本申请的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN112582435A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010930452.5

申请日：2020-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈重磊 ,  李承宗 ,  王文生 ,  郭建利

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露实施例是有关于一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括储存器件，其中储存器件包括存储元件、第一介电层及光屏蔽元件。存储元件包括储存节点及储存晶体管栅极，其中储存晶体管栅极位于储存节点之上。第一介电层位于储存晶体管栅极的一部分之上。光屏蔽元件位于第一介电层上且包括半导体层。半导体层与存储元件电隔离，其中在平面上沿着存储元件与光屏蔽元件的堆叠方向的垂直投影中，光屏蔽元件与储存晶体管栅极的周界的至少一部分交叠，且堆叠方向垂直于所述平面。