公开(公告)号：CN101262010B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710193994.3

申请日：2007-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王升平 ,  黄宗义 ,  王文亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管。该半导体晶体管包括形成于半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，其中，此半导体衬底为第一导电型，且具有第一导电型的栓塞区域；此栓塞区域形成于第二导电型的漏极延伸区域(就高压金属氧化物半导体晶体管而言)或形成于第二导电型的轻掺杂区域(就低压金属氧化物半导体晶体管而言)。这样的结构导致较高的击穿电压。本发明原则适用于形成在块状半导体衬底上的金属氧化物半导体晶体管及形成在硅置于绝缘物上构成的金属氧化物半导体晶体管。

公开(公告)号：CN101262010A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200710193994.3

申请日：2007-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王升平 ,  黄宗义 ,  王文亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管。该半导体晶体管包括形成于半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，其中，此半导体衬底为第一导电型，且具有第一导电型的栓塞区域；此栓塞区域形成于第二导电型的漏极延伸区域(就高压金属氧化物半导体晶体管而言)或形成于第二导电型的轻掺杂区域(就低压金属氧化物半导体晶体管而言)。这样的结构导致较高的击穿电压。本发明原则适用于形成在块状半导体衬底上的金属氧化物半导体晶体管及形成在硅置于绝缘物上构成的金属氧化物半导体晶体管。