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公开(公告)号:CN109773648A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201811343555.0
申请日:2018-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/005 , B24B37/34 , H01L21/306
Abstract: 一种对晶片进行化学机械抛光的装置包括:工艺腔室;及能够旋转的台板,设置在工艺腔室内。抛光垫设置在台板上且晶片载具设置在台板上。浆料供应端口被配置成在台板上供应浆料。工艺控制器被配置成控制装置的操作。一组麦克风设置在工艺腔室内。所述一组麦克风被排列成探测在装置的操作期间工艺腔室中的声音并传送与所探测到的声音对应的电信号。信号处理器被配置成从所述一组麦克风接收电信号,处理电信号以实现对在装置的操作期间的事件的探测,并响应于探测到事件而向工艺控制器传送反馈信号。工艺控制器还被配置成接收反馈信号并基于所接收到的反馈信号来启动动作。
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公开(公告)号:CN109768002A
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201811337222.7
申请日:2018-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 在用于制造或分析半导体晶圆的装置的操作方法中,在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音。通过信号处理器来获取与检测到的声音相对应的电信号。通过所述信号处理器来处理所获取的电信号。基于所处理的电信号来检测所述装置的操作期间的事件。根据所检测到的事件来控制所述装置的操作。本发明的实施例还提供了用于制造或分析半导体晶圆的装置及系统。
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公开(公告)号:CN111477562A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201910068347.2
申请日:2019-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于半导体制造的晶片质量监控方法,包含有:测量晶片表面的多个采样点,以获得多个测量值;根据所述测量值绘制预估晶片地形图,其包含有多个第一像素,所述第一像素分别包含有第一像素值;提供最佳晶片地形图,其包含有多个第二像素,所述第二像素分别包含有第二像素值;比对所述预估晶片地形图与所述最佳晶片地形图;当所述第一像素其中的任一个的所述第一像素值与相对应的所述第二像素的所述第二像素值的差异超过容忍范围时,将所述第一像素定义为超出管制单元;以及当所述超出管制单元的数量高于一值时,确定所述晶片不合规范。
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公开(公告)号:CN109768002B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201811337222.7
申请日:2018-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 在用于制造或分析半导体晶圆的装置的操作方法中,在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音。通过信号处理器来获取与检测到的声音相对应的电信号。通过所述信号处理器来处理所获取的电信号。基于所处理的电信号来检测所述装置的操作期间的事件。根据所检测到的事件来控制所述装置的操作。本发明的实施例还提供了用于制造或分析半导体晶圆的装置及系统。
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