公开(公告)号：CN118821704A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410849411.1

申请日：2024-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾嘉辉 ,  黎家豪 ,  曾维敏 ,  温俊贤 ,  高章瑞 ,  张志伟

IPC: G06F30/392

Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路设计系统，包括用于对IC布局执行热分析的处理器，所述IC布局包括具有在厚度方向上一个接一个堆叠的多个导电层的再分布结构。响应于第一导电层的特性满足第一条件，所述处理器将第一建模规则应用于所述第一导电层以获得第一模型，并且响应于第二导电层的特性满足第二条件但不满足所述第一条件，所述处理器将不同于所述第一建模规则的第二建模规则应用于所述第二导电层以获得第二模型。处理器基于第一和第二模型对IC布局执行热模拟，并且基于热模拟结果修改IC布局或者继续制造与IC布局相对应的一个或多个IC器件。本发明的实施例还提供了一种集成电路设计方法和一种计算机程序产品。

公开(公告)号：CN118173501A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410075427.1

申请日：2024-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄翰祥 ,  温俊贤 ,  叶庭聿 ,  张志伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括提供具有多个第一连接结构的半导体芯片，多个第一连接结构设置在多个金属化层的最顶部金属化层上。该方法包括形成包括多个导电层和多个通孔结构的再分布结构，多个导电层的相邻导电层通过多个通孔结构的至少对应的一个通孔结构连接。该方法包括将多个第一连接器结构接合至再分布结构。该方法包括通过多个第二连接结构将再分布结构接合至载体衬底。形成再分布结构包括围绕多个通孔结构中的第二通孔结构横向旋转多个通孔结构的第一通孔结构，第一通孔结构垂直地位于第二通孔结构之上。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法和半导体封装件。