公开(公告)号：CN115508946A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210030543.2

申请日：2022-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐敏翔 ,  卓联洲 ,  周淳朴 ,  陈建宏 ,  汤承哲 ,  洪勇智

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/136

Abstract: 一种半导体组件及其形成方法以及光耦合系统。公开具有高耦合效率和低偏振相关损耗的边缘耦合器，以及制造边缘耦合器的方法。在一个实施例中，公开用于光耦合的半导体组件。半导体组件包括：衬底；光波导，在衬底之上；及多个层，在光波导之上。多个层包括设置在半导体组件的边缘的多个耦合柱。多个耦合柱形成边缘耦合器，其被配置为将光波导光学耦合到位于半导体组件的边缘的光纤。

公开(公告)号：CN117192687A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310889203.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜子翔 ,  洪勇智 ,  黄泰钧

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/12 ,  G02B6/293 ,  G02B6/132

Abstract: 本申请的实施例公开了一种光学器件及其制造方法，包括提供两个不同的光路：第一光路，包括第一波导芯和与第一波导芯相邻的第一包层；以及第二光路，包括第二波导芯和与第二波导芯相邻的第二包层。第一波导芯的热光系数(TOC)和第一包层的TOC具有相同的符号，例如正，并且第二波导芯的TOC的符号不同于第二包层的TOC的符号，例如一个正且一个负。这些光路可以位于马赫‑曾德尔干涉仪(MZI)中。