公开(公告)号：CN107093630A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610677738.0

申请日：2016-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李春霆 ,  沈俊仰 ,  卢仁祥 ,  张圣育 ,  张志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法中，形成用于N型通道鳍式场效晶体管(FinFET)的一第一鳍结构于一基底上方。形成一隔离绝缘层于基底上方，使第一鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。形成一栅极结构于一部分的第一鳍结构的上部上方。形成一第一外延源极/漏极(S/D)结构于未覆盖栅极结构的第一鳍结构上方。形成一外延盖层于第一外延源极/漏极结构上方。第一外延源极/漏极结构包括SiP，而外延盖层包括SiC，且其碳浓度在0.5至5原子百分比的范围。

公开(公告)号：CN107093630B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610677738.0

申请日：2016-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李春霆 ,  沈俊仰 ,  卢仁祥 ,  张圣育 ,  张志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法中，形成用于N型通道鳍式场效晶体管(FinFET)的一第一鳍结构于一基底上方。形成一隔离绝缘层于基底上方，使第一鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。形成一栅极结构于一部分的第一鳍结构的上部上方。形成一第一外延源极/漏极(S/D)结构于未覆盖栅极结构的第一鳍结构上方。形成一外延盖层于第一外延源极/漏极结构上方。第一外延源极/漏极结构包括SiP，而外延盖层包括SiC，且其碳浓度在0.5至5原子百分比的范围。

公开(公告)号：CN220569686U

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202321721086.8

申请日：2023-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大钧 ,  沈俊仰 ,  林俊仁 ,  潘国华 ,  廖忠志

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 本新型涉及一种半导体装置。用于协同优化各种装置类型的结构包括第一装置类型、第二装置类型以及第三装置类型。第一装置类型设置在第一基板区域内且包括第一源/漏极部件。第二装置类型设置在第二基板区域内且包括第二源/漏极部件。第三装置类型设置在第三基板区域内且包括第三源/漏极部件。第一装置类型具有第一源/漏极接近度，第二装置类型具有小于第一源/漏极接近度的第二源/漏极接近度，第三装置类型具有大于第一和第二源/漏极接近度的第三源/漏极接近度。第一、第二和第三源/漏极部件具有第一、第二和第三深度，第一深度实质等于第二深度。