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公开(公告)号：CN114078887A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110868426.9
申请日：2021-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明的各个实施例针对具有用于暗电流减小的钝化层的图像传感器。器件层位于衬底上面。此外，帽层位于器件层上面。帽层和器件层以及衬底是半导体材料，并且器件层具有比帽层和衬底小的带隙。例如，帽层和衬底可以是硅，而器件层可以是锗或包括锗。光电探测器位于器件层和帽层中，并且钝化层位于帽层上面。钝化层包括高k介电材料，并且引起沿着帽层的顶面的偶极矩的形成。本发明的实施例还涉及光电子器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103972061B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310162628.7
申请日：2013-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/42364 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 一种方法包括在衬底上形成III‑V族化合物层并且将主掺杂剂注入到III‑V族化合物层以形成源极区和漏极区。方法进一步包括将V族物质注入到源极区和漏极区。一种半导体器件包括衬底和衬底上方的III‑V族化合物层。半导体器件进一步包括III‑V族层中的源极区和漏极区，其中，源极区和漏极区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二掺杂剂包括V族材料。本发明还提供了将掺杂剂注入到III族氮化物结构中的方法及形成的器件。
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公开(公告)号：CN112490253A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010946568.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电阻率绝缘体上硅(SOI)衬底及其形成方法。高电阻率绝缘体上硅衬底包括配置在半导体衬底之上的第一多晶硅层、第二多晶硅层、第三多晶硅层、绝缘体层以及有源半导体层。第二多晶硅层配置在第一多晶硅层之上，且第三多晶硅层配置在第二多晶硅层之上。位于绝缘体层之上的有源半导体层可配置在第三多晶硅层之上。第二多晶硅层与第一多晶硅层及第三多晶硅层相比具有较高的氧浓度。
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公开(公告)号：CN103579327A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210436886.5
申请日：2012-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L29/0891 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并在组成上不同于第一III-V化合物层。源极部件和漏极部件与第二III-V化合物层接触。n型掺杂区在第二III-V化合物层中位于每个源极部件和漏极部件的下方。p型掺杂区在第一III-V化合物层中位于每个n型掺杂区的下方。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间第二III-V化合物层的一部分的上方。
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公开(公告)号：CN112750847A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011161112.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , G02B6/12 , G02B6/136
Abstract: 本公开实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一掺杂区，具有第一掺杂类型，设置在半导体衬底中。第二掺杂区具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，设置在半导体衬底中且与第一掺杂区在侧向上间隔开。波导结构设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。光电探测器至少部分地设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。波导结构被配置成将一个或多个光子引导到光电探测器中。光电探测器具有在光电探测器的相对的侧壁之间呈连续的弧形的上表面以及呈连续的弧形的下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026198A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611127831.0
申请日：2016-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其包含衬底、所述衬底上方的具有第一带隙的第一III‑V层、以及所述第一III‑V层上方的具有第二带隙的第二III‑V层。所述第二III‑V层包含与所述第一III‑V层接触的第一表面以及与所述第一表面对置的第二表面。所述第二表面处的所述第二带隙大于所述第一表面处的所述第二带隙。本发明实施例还提供上述半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN103579327B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210436886.5
申请日：2012-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L29/0891 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III?V化合物层。第二III?V化合物层设置在第一III?V化合物层上并在组成上不同于第一III?V化合物层。源极部件和漏极部件与第二III?V化合物层接触。n型掺杂区在第二III?V化合物层中位于每个源极部件和漏极部件的下方。p型掺杂区在第一III?V化合物层中位于每个n型掺杂区的下方。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间第二III?V化合物层的一部分的上方。
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公开(公告)号：CN103972061A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310162628.7
申请日：2013-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/42364 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 一种方法包括在衬底上形成III-V族化合物层并且将主掺杂剂注入到III-V族化合物层以形成源极区和漏极区。方法进一步包括将V族物质注入到源极区和漏极区。一种半导体器件包括衬底和衬底上方的III-V族化合物层。半导体器件进一步包括III-V族层中的源极区和漏极区，其中，源极区和漏极区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二掺杂剂包括V族材料。本发明还提供了将掺杂剂注入到III族氮化物结构中的方法及形成的器件。
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公开(公告)号：CN103943674A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310139313.0
申请日：2013-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)内的双层AlGaN供体层和相关的制造方法，该高电子迁移率晶体管被配置为提供低电阻欧姆源极和漏极接触件以降低功率消耗同时在HEMT的沟道内保持二维电子气(2DEG)的高迁移率。双层AlGaN供体层包括AlzGa(1-z)N迁移率提高层和设置在迁移率提高层的上方的AlxGa(1-x)N电阻降低层，其中，欧姆源极和漏极接触件与HEMT连接。GaN沟道层(其中存在2DEG)设置在迁移率提高层的下方以形成HEMT的沟道。
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公开(公告)号：CN112750847B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011161112.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , G02B6/12 , G02B6/136
Abstract: 本公开实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一掺杂区，具有第一掺杂类型，设置在半导体衬底中。第二掺杂区具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，设置在半导体衬底中且与第一掺杂区在侧向上间隔开。波导结构设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。光电探测器至少部分地设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。波导结构被配置成将一个或多个光子引导到光电探测器中。光电探测器具有在光电探测器的相对的侧壁之间呈连续的弧形的上表面以及呈连续的弧形的下表面。
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