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公开(公告)号：CN111834291A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010303587.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在此公开形成鳍式场效晶体管装置的源极/漏极区的接触件和栅极堆叠的接触插塞的方法。此方法包含蚀刻接触开口穿过介电层以露出第一源极/漏极接触件的表面，以及修复沿着接触开口的侧壁表面和沿着介电层的平坦表面的氧化硅结构，以避免随后选择性沉积导电填充材料期间和随后蚀刻其他接触开口期间发生选择性损失的缺陷。此方法还包含实施选择性由下至上的导电填充材料的沉积以形成第二源极/漏极接触件。根据一些方法，一旦形成第二源极/漏极接触件，就可以在栅极堆叠上形成接触插塞。
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