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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114792657A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210066604.0

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡国强 , 林昕篁 , 陈志辉

IPC: H01L21/8234 , H01L27/088

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置，其中，一或多个主动区结构各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板，并在第一水平方向中水平延伸。源极/漏极构件在垂直方向中位于主动区结构上。源极/漏极接点在垂直方向中位于源极/漏极构件上。源极/漏极接点包括底部与顶部。保护衬垫层位于源极/漏极接点的顶部的侧表面上，但不位于源极/漏极接点的底部的侧表面上。

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