公开(公告)号：CN119967893A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411593186.6

申请日：2024-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建勋 ,  洪文强 ,  赵俊杰 ,  陈志辉

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D62/10

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。用于形成半导体器件结构的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构具有基底层，并且鳍结构具有以交替方式布置在所述基底层上方的多个牺牲层和多个半导体层。该方法还包括部分地去除鳍结构以形成暴露半导体层、牺牲层和基底层的侧表面的开口。该方法还包括部分或完全去除基底层以形成凹陷，在凹陷中形成保护结构，以及形成填充开口的外延结构。此外，该方法包括从衬底的背侧表面部分地去除衬底，以形成暴露保护结构并朝向外延结构延伸的接触开口。该方法包括在接触开口中形成背侧导电接触件。

公开(公告)号：CN119447058A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411058439.X

申请日：2024-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建勋

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成第一开口，在平面图中，第一开口具有环形形状；在第一开口中形成介电保护环；沿着半导体衬底的第一表面形成有源器件；在有源器件上方形成第一金属化层；穿过半导体衬底形成第二开口，第二开口与介电保护环的环形形状相邻；在第二开口中形成导电贯穿通孔；以及在第一金属化层上方形成第二金属化层。本申请的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN101251717A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710110247.9

申请日：2007-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建勋 ,  杨安国 ,  彭瑞君 ,  郭耀文

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70358 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70466

Abstract: 本发明提供一种微电子装置及其制造方法。该微电子装置的制造方法包括使用光刻扫描器，以一第一速度，对基底上的虚设区进行曝光，使用光刻扫描器，以一第二速度，对基底上的虚设区进行曝光，其中第一速度大体上比第二速度快；另一实施例揭示微电子装置的另一制造方法，包括使用光刻扫描器，以一第一速度，对微电子装置的非关键层进行曝光，使用光刻扫描器，以一第二速度，对微电子装置的关键层进行曝光，其中第一速度大体上比第二速度快。通过本发明，可以利用不同的速度进行曝光，从而获得更佳的产量和质量。

公开(公告)号：CN101251717B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710110247.9

申请日：2007-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建勋 ,  杨安国 ,  彭瑞君 ,  郭耀文

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70358 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70466

Abstract: 本发明提供一种微电子装置及其制造方法。该微电子装置的制造方法包括使用光刻扫描器，以一第一速度，对基底上的虚设区进行曝光，使用光刻扫描器，以一第二速度，对基底上的虚设区进行曝光，其中第一速度大体上比第二速度快；另一实施例揭示微电子装置的另一制造方法，包括使用光刻扫描器，以一第一速度，对微电子装置的非关键层进行曝光，使用光刻扫描器，以一第二速度，对微电子装置的关键层进行曝光，其中第一速度大体上比第二速度快。通过本发明，可以利用不同的速度进行曝光，从而获得更佳的产量和质量。