公开(公告)号：CN112103386A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201910865927.4

申请日：2019-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹亚叡 ,  罗宗祐 ,  刘致为 ,  林劭昱 ,  鍾良佐 ,  王智麟

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁阻记忆体装置包含记忆体堆叠、自旋轨道扭矩(SOT)层、及自由层。记忆体堆叠包括固定层以及在固定层上方的参考层。SOT层是与记忆体堆叠间隔开。自由层是在记忆体堆叠及SOT层上方。

公开(公告)号：CN112510061A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010350814.3

申请日：2020-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗宗祐 ,  邹亚叡 ,  刘致为 ,  林劭昱 ,  鍾良佐 ,  王智麟

IPC: H01L27/22

Abstract: 一种磁阻式记忆体元件包括多根底部导线、多根顶部导线、第一记忆体单元、及第二记忆体单元。顶部导线位于底部导线上方。第一记忆体单元位于底部导线与顶部导线之间并包括第一磁穿隧接面堆叠。第二记忆体单元邻近于第一记忆体单元并位于底部导线与顶部导线之间。第二记忆体单元包括第二磁穿隧接面堆叠，且第二磁穿隧接面堆叠的顶表面高于第一磁穿隧接面堆叠的顶表面。

公开(公告)号：CN115867044A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210811537.0

申请日：2022-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹亚叡 ,  陈韦任 ,  刘邦均 ,  刘致为 ,  林劭昱 ,  王智麟

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明的实施例提供了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括源极区、漏极区、沟道区、栅极介电层、MTJ堆叠件和金属栅极。源极区和漏极区位于衬底上方。沟道区位于源极区和漏极区之间。栅极介电层位于沟道区上方。MTJ堆叠件位于栅极介电层上方。MTJ堆叠件包括第一铁磁层、具有可切换磁化的第二铁磁层以及位于第一和第二铁磁层之间的隧道势垒层。金属栅极位于MTJ堆叠件上方。

公开(公告)号：CN217719653U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221860694.2

申请日：2022-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱日照 ,  邹亚叡 ,  陈韦任 ,  刘致为 ,  林劭昱 ,  王智麟

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L27/22

Abstract: 一种记忆体元件包含自旋轨道转移(SOT)底部电极、SOT铁磁自由层、第一穿隧能障层、自旋转移力矩(STT)铁磁自由层、第二穿隧能障层、及参考层。SOT铁磁自由层位于SOT底部电极之上。SOT铁磁自由层具有可通过SOT底部电极使用自旋霍尔作用或Rashba作用切换的磁性定向。第一穿隧能障层位于SOT铁磁自由层之上。STT铁磁自由层位于第一穿隧能障层之上，并具有可使用STT作用切换的磁性定向。第二穿隧能障层位于STT铁磁自由层之上。第二穿隧能障层具有的厚度不同于第一穿隧能障层的厚度。参考层在第二穿隧能障层之上并具有固定的磁性定向。