公开(公告)号：CN109841560B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810385033.0

申请日：2018-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宇轩 ,  洪文瀚 ,  李梓光 ,  林佳莹

IPC: H01L21/762 ,  G03F7/20

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底中形成多个隔离结构，并在隔离结构上方形成多个阻挡结构。阻挡结构具有比隔离结构更低的反射率。该方法还包括在半导体衬底上形成光刻胶层，通过掩模将光刻胶层暴露在光源下，以及显影光刻胶层以形成图案化的光刻胶部件，其覆盖两个隔离结构之间的半导体衬底的部分的第一区域。半导体衬底的部分具有暴露的第二区域。本发明的实施例还涉及隔离结构上的阻挡结构。

公开(公告)号：CN109841560A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810385033.0

申请日：2018-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宇轩 ,  洪文瀚 ,  李梓光 ,  林佳莹

IPC: H01L21/762 ,  G03F7/20

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底中形成多个隔离结构，并在隔离结构上方形成多个阻挡结构。阻挡结构具有比隔离结构更低的反射率。该方法还包括在半导体衬底上形成光刻胶层，通过掩模将光刻胶层暴露在光源下，以及显影光刻胶层以形成图案化的光刻胶部件，其覆盖两个隔离结构之间的半导体衬底的部分的第一区域。半导体衬底的部分具有暴露的第二区域。本发明的实施例还涉及隔离结构上的阻挡结构。