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发明公开
半导体器件结构及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN119300458A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411279581.7

申请日：2024-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨杰甯 , 丁乃馨 , 郭舫廷 , 谢炳邦

IPC: H10D84/80 , H10D1/40

Abstract: 描述了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括设置在有源器件区中的衬底上方的第一栅极结构、设置在无源器件区中的衬底上方的绝缘材料、设置在无源器件区中的绝缘材料上方的电阻器结构、电连接到电阻器结构的第一导电接触件、设置在电阻器结构上方的第二导电接触件以及与第二导电接触件和电阻器结构接触的介电层。

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