Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"杨晋宾" Page 1

1.

发明公开
集成电路装置及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN115295491A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210410914.X

申请日：2022-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张雅婷 , 黄健治 , 杨晋宾 , 倪懿池 , 吴志毅

IPC: H01L21/8234 , H01L27/088

Abstract: 提供一种集成电路装置及其形成方法。该方法包含：在基板的正面上，形成晶体管；在晶体管上，形成内连接结构；在内连接结构上，沉积第一过渡金属层；进行电浆处理，以将第一过渡金属层转变为第一过渡金属二硫化物层；在第一过渡金属二硫化物层上，形成介电层；在介电层以及该第一过渡金属二硫化物层的一第一部分上，形成第一栅极电极；以及形成第一源极接触和第一漏极接触，分别连接第一过渡金属二硫化物层的第二以及第三部分，第一过渡金属二硫化物层的第一部分位于第一过渡金属二硫化物层的第二和第三部分之间。

Patent Agency Ranking