公开(公告)号：CN108122767A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710438840.X

申请日：2017-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谭伦光 ,  李秉纮 ,  吕慧滢 ,  张家敖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包括沉积第一导电材料于设置于第一半导体结构及第二半导体结构之间的开口中。上述第一导电材料包括至少一第一孔洞。上述方法亦包括移除上述第一导电材料的一部分以形成沟槽。上述沟槽暴露出上述至少一第一孔洞且上述沟槽由第一导电材料的残留部分所定义。上述方法亦包括沉积第二导电材料于上述沟槽中。上述第二导电材料及第一导电材料的残留部分形成虚设栅极层。