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公开(公告)号：CN110854036B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910702442.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/317
Abstract: 本文公开一种调谐离子布植设备的方法。上述方法包括下列操作：实施晶圆验收测试(WAT)工艺条件至测试样品；计算用于直流(DC)最终能量磁铁(FEM)的工艺条件；计算直流最终能量磁铁的真实能量；查核机台能量偏移；以及取得直流最终能量磁铁的峰值频谱。一种调谐最终能量磁铁的方法以及一种离子布植系统。
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公开(公告)号：CN110828270B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910750030.7
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种方法，包括基于离子植入配方，以离子植入设备的离子源产生多个离子。前述方法包括基于在前述离子植入配方中的离子能设定来加速所产生的前述离子，以及判定所加速的前述离子的能谱。前述方法亦包括分析所判定的前述能谱和前述离子能设定之间的关系。前述方法还包括基于所分析的前述关系来调整前述离子植入设备的最终能量磁铁的至少一参数。
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公开(公告)号：CN110828270A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910750030.7
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种方法，包括基于离子植入配方，以离子植入设备的离子源产生多个离子。前述方法包括基于在前述离子植入配方中的离子能设定来加速所产生的前述离子，以及判定所加速的前述离子的能谱。前述方法亦包括分析所判定的前述能谱和前述离子能设定之间的关系。前述方法还包括基于所分析的前述关系来调整前述离子植入设备的最终能量磁铁的至少一参数。
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公开(公告)号：CN110854036A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910702442.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/317
Abstract: 本文公开一种调谐离子布植设备的方法。上述方法包括下列操作：实施晶圆验收测试(WAT)工艺条件至测试样品；计算用于直流(DC)最终能量磁铁(FEM)的工艺条件；计算直流最终能量磁铁的真实能量；查核机台能量偏移；以及取得直流最终能量磁铁的峰值频谱。一种调谐最终能量磁铁的方法以及一种离子布植系统。
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