公开(公告)号：CN116206641A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310056800.4

申请日：2023-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 安隼立 ,  吴政宪 ,  李亨元 ,  鲍新宇

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种操作记忆体的方法包括：跨记忆体单元施加第一电压脉冲，其中记忆体单元包含选择器，其中第一电压脉冲将选择器切换至导通状态；在施加第一电压脉冲之后，跨记忆体单元施加第二电压脉冲，其中在施加第二电压脉冲之前，选择器具有第一电压临界，其中在施加第二电压脉冲之后，选择器具有小于第一电压临界的第二电压临界；以及在施加第二电压脉冲之后，向记忆体单元施加第三电压脉冲，其中第三电压脉冲将选择器切换为导通状态；其中选择器在第一电压脉冲与第三电压脉冲之间持续保持关闭状态。

公开(公告)号：CN114664882A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210087798.2

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐振峰 ,  李乾铭 ,  李东颖 ,  吴政宪 ,  李亨元 ,  鲍新宇

IPC: H01L27/24

Abstract: 一个存储器装置包括衬底、设置在衬底之上的晶体管、设置在晶体管之上且电性连接至晶体管的内连线结构，以及设置在内连线结构的两个相邻的金属化层之间的存储器堆叠。存储器堆叠包括设置在衬底之上且电性连接到位线的底部电极、设置在底部电极之上的存储器层、设置在存储器层之上的选择器层，以及设置在选择器层之上且电性连接到字线的顶部电极。此外，至少一个防潮层提供为与选择器层相邻并实体接触选择器层，且至少一个防潮层包括非晶材料。

公开(公告)号：CN113707603A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110987417.1

申请日：2021-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李乾铭 ,  李东颖 ,  吴政宪 ,  鲍新宇 ,  李亨元 ,  陈映予

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/24

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底及内连结构。内连结构设置在半导体衬底之上。内连结构包括第一导电线、第二导电线及双向阈值开关。第一导电线在第一方向上彼此平行地延伸。第二导电线堆叠在第一导电线之上且在与第一方向垂直的第二方向上彼此平行地延伸。双向阈值开关设置在第一导电线与第二导电线之间。双向阈值开关包含三元GeCTe材料。三元GeCTe材料实质上由碳、锗及碲组成。在三元GeCTe材料中，碳含量介于10原子百分比到30原子百分比范围内且锗含量介于10原子百分比到65原子百分比范围内。