公开(公告)号：CN113380611B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202110241686.3

申请日：2021-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾凯迪 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/285 ,  H10D64/23 ,  H10D30/01 ,  H10D30/62

Abstract: 一种半导体器件，包括：栅极堆叠件；位于栅极堆叠件的侧壁上的栅极间隔件；邻近栅极堆叠件的源极/漏极区；硅化物；以及通过硅化物电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触件。硅化物包括：共形的第一部分，该共形的第一部分在源极/漏极区中，该共形的第一部分包含金属和硅；以及共形的第二部分，该共形的第二部分在共形的第一部分上方，该共形的第二部分进一步设置在栅极间隔件的侧壁上，该共形的第二部分包含金属、硅和氮。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114284266A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202110936185.7

申请日：2021-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林芮萍 ,  曾凯迪 ,  李振铭 ,  李威养

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置。一种半导体装置包括多个第一通道构件，在一背侧介电层上方；多个第二通道构件，在该背侧介电层上方；一第一栅极结构，在每个第一通道构件上方且包绕每个第一通道构件；一第二栅极结构，在每个第二通道构件上方且包绕每个第二通道构件；以及一穿透基板接触件，在多个第一通道构件和多个第二通道构件之间延伸、在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间延伸、且穿透该背侧介电层。

公开(公告)号：CN113380611A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110241686.3

申请日：2021-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾凯迪 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：栅极堆叠件；位于栅极堆叠件的侧壁上的栅极间隔件；邻近栅极堆叠件的源极/漏极区；硅化物；以及通过硅化物电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触件。硅化物包括：共形的第一部分，该共形的第一部分在源极/漏极区中，该共形的第一部分包含金属和硅；以及共形的第二部分，该共形的第二部分在共形的第一部分上方，该共形的第二部分进一步设置在栅极间隔件的侧壁上，该共形的第二部分包含金属、硅和氮。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。