公开(公告)号：CN105742184A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510442797.5

申请日：2015-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家玮 ,  巫柏奇 ,  方文翰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66068 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成介电层。衬底具有鳍结构，并且介电层具有沟槽，该沟槽暴露出鳍结构的部分。该方法包括在沟槽中形成栅极材料层。该方法包括在栅极材料层上方形成平坦化层。平坦化层包括第一材料，第一材料与栅极材料层的第二材料和介电层的第三材料不同。该方法包括实施蚀刻工艺以去除平坦化层和栅极材料层的第一上部以在沟槽中形成栅极。本发明的实施例还涉及形成具有栅极的半导体器件结构的方法。

公开(公告)号：CN105529270A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510674125.7

申请日：2015-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方文翰 ,  巫柏奇

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/16 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/785

Abstract: 方法包括在电介质中形成开口以呈现突出的半导体鳍，在突出的半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极电介质，以及在栅极电介质上方形成导电扩散阻挡层。导电扩散阻挡层延伸至开口内。该方法还包括形成位于导电扩散阻挡层上方并且延伸至开口内的硅层，以及对硅层实施干蚀刻以去除硅层的水平部分和垂直部分。在干蚀刻之后，形成位于导电扩散阻挡层上方并且延伸至开口内的导电层。本发明的实施例还涉及具有硅侧壁间隔件的金属栅极。

公开(公告)号：CN105742184B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201510442797.5

申请日：2015-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家玮 ,  巫柏奇 ,  方文翰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成介电层。衬底具有鳍结构，并且介电层具有沟槽，该沟槽暴露出鳍结构的部分。该方法包括在沟槽中形成栅极材料层。该方法包括在栅极材料层上方形成平坦化层。平坦化层包括第一材料，第一材料与栅极材料层的第二材料和介电层的第三材料不同。该方法包括实施蚀刻工艺以去除平坦化层和栅极材料层的第一上部以在沟槽中形成栅极。本发明的实施例还涉及形成具有栅极的半导体器件结构的方法。

公开(公告)号：CN105529270B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201510674125.7

申请日：2015-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方文翰 ,  巫柏奇

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 方法包括在电介质中形成开口以呈现突出的半导体鳍，在突出的半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极电介质，以及在栅极电介质上方形成导电扩散阻挡层。导电扩散阻挡层延伸至开口内。该方法还包括形成位于导电扩散阻挡层上方并且延伸至开口内的硅层，以及对硅层实施干蚀刻以去除硅层的水平部分和垂直部分。在干蚀刻之后，形成位于导电扩散阻挡层上方并且延伸至开口内的导电层。本发明的实施例还涉及具有硅侧壁间隔件的金属栅极。