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公开(公告)号：CN118645490A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410646314.2
申请日：2024-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/50 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件、集成电路器件及其制造方法。在一些实施例中，IC器件包括设置在第一平面中的第一导电层中的第一导线、设置在第二平面中的第二导电层中的第二导线以及连接第一导线和第二导线的导体，导体包括导电壁，导电壁设置在基本上横向于所述第一平面的平面中，并且具有在基本上平行于第一平面的方向上的长度和在基本上横向于第一平面的方向上的高度。在一些实施例中，导电壁包括将两个金属扩散区电互连的导电板，每个金属扩散区电连接到第一和第二导线中相应的一个。在其它实施例中，导电壁包括彼此邻接的两个金属扩散区，每个金属扩散区电连接到第一和第二导线中相应的一个。
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