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公开(公告)号：CN111128758A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911043914.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/603
Abstract: 一种封装结构的形成方法，包括形成导电结构于载体基板之上；配置半导体晶粒于载体基板之上；在上升的温度下压靠保护基板于载体基板以接合保护基板至导电结构；以及形成保护层以包围半导体晶粒。
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