公开(公告)号：CN114975087A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210066302.3

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈育佃 ,  杨智凯 ,  张湘明 ,  张钧彦 ,  张雅惠 ,  简薇庭 ,  陈佳政 ,  陈亮吟

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种形成半导体元件的方法。提供形成半导体元件的方法。方法包含在目标层之上涂覆光阻膜；进行微影制程以将光阻膜图案化成光阻层；对光阻层进行方向性离子轰击制程，使得光阻层中的碳原子浓度增加；使用光阻层为刻蚀遮罩，刻蚀目标层。透过此方法可以减少图案角落变圆的现象，使得修改后的光阻图案具有更为锐利的角落。

公开(公告)号：CN113764312A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111049020.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧彦 ,  沈育佃 ,  杨智凯 ,  张雅惠 ,  张世明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 本揭露包含一种蚀刻系统及蚀刻方法，电浆蚀刻系统包含可移动的电浆源和可移动的晶圆座。可变化可移动的电浆源和可移动的晶圆座间的相对位置，以设定一角度，电浆的电浆粒子沿着此角度撞击放置在晶圆座上的晶圆。

公开(公告)号：CN115527841A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210683784.7

申请日：2022-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  吴濬宏 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳 ,  张钧彦 ,  杨智凯 ,  沈育佃 ,  张雅惠

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种形成半导体装置的方法。在一些实施例中，方法包括形成靶层在半导体基板上方、形成富碳硬遮蔽层在靶层上方，通过蚀刻工艺图案化数个特征在富碳硬遮蔽层中、对被图案化在富碳硬遮蔽层中的这些特征执行定向离子束修整工艺、以及使用富碳硬遮蔽层作为遮罩来图案化靶层。

公开(公告)号：CN114334615A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111106915.7

申请日：2021-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨智凯 ,  沈育佃 ,  张湘明 ,  张钧彦 ,  张雅惠 ,  简薇庭 ,  陈佳政 ,  陈亮吟

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及用于多步骤定向图案化的系统和方法。一种半导体工艺系统包括被配置为轰击晶圆上的光致抗蚀剂结构的离子源。该半导体工艺系统通过在具有不同特性的多个不同离子轰击步骤中用离子轰击光致抗蚀剂结构，来减小光致抗蚀剂结构的宽度。