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公开(公告)号：CN101572269B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810146814.0
申请日：2008-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L21/26506 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本发明公开了源/漏碳注入和RTA退火，预SiGe淀积。还公开了一种阻挡掺杂杂质从应力结构向外扩散的半导体器件系统、结构和源/漏的制造方法。说明性实施例包括半导体衬底、器件、和阻挡源/漏区中掺杂杂质侧壁外扩散的方法。提供具有栅结构、和具有在所述栅结构相对两侧的源和漏的半导体衬底。在所述源和漏的一部分蚀刻凹槽区。在所述凹槽区埋植掺杂的应力结构。将阻挡掺杂杂质并入所述源和漏的其余部分。
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公开(公告)号：CN101572269A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810146814.0
申请日：2008-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L21/26506 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本发明公开了源/漏碳注入和RTA退火，预SiGe淀积。还公开了一种阻挡掺杂杂质从应力结构向外扩散的半导体器件系统、结构和源/漏的制造方法。说明性实施例包括半导体衬底、器件、和阻挡源/漏区中掺杂杂质侧壁外扩散的方法。提供具有栅结构、和具有在所述栅结构相对两侧的源和漏的半导体衬底。在所述源和漏的一部分蚀刻凹槽区。在所述凹槽区埋植掺杂的应力结构。将阻挡掺杂杂质并入所述源和漏的其余部分。
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公开(公告)号：CN101087003A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710110251.5
申请日：2007-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明的半导体元件具有半导体衬底；栅极堆叠，位于半导体衬底上；n型轻掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中n型轻掺杂源/漏极区包括n型杂质；n型重掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中该n型重掺杂源/漏极区包括n型杂质；预先非晶态注入区，位于半导体衬底中，其中预先非晶态注入区包括后注入区；以及间隙阻挡区，位于半导体衬底中，其中间隙阻挡区的深度大于n型轻掺杂源/漏极区的深度，但小于后注入区的深度。由于本发明的间隙阻挡区位于后注入区与轻掺杂源/漏极区之间，可降低轻掺杂源/漏极区中磷扩散的问题。此外，因为磷具有高活化率，因此MOS元件具有低片电阻。
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公开(公告)号：CN100552974C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710110251.5
申请日：2007-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明的半导体元件具有半导体衬底；栅极堆叠，位于半导体衬底上；n型轻掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中n型轻掺杂源/漏极区包括n型杂质；n型重掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中该n型重掺杂源/漏极区包括n型杂质；预先非晶态注入区，位于半导体衬底中，其中预先非晶态注入区包括后注入区；以及间隙阻挡区，位于半导体衬底中，其中间隙阻挡区的深度大于n型轻掺杂源/漏极区的深度，但小于后注入区的深度。由于本发明的间隙阻挡区位于后注入区与轻掺杂源/漏极区之间，可降低轻掺杂源/漏极区中磷扩散的问题。此外，因为磷具有高活化率，因此MOS元件具有低片电阻。
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