公开(公告)号：CN116435166A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202210916209.7

申请日：2022-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  李资良 ,  李志鸿 ,  张祺澔 ,  张澔宇 ,  周沛瑜

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件的电介质层及其形成方法。公开了形成改进的电介质层的方法和由其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：晶体管结构，位于半导体衬底上；第一电介质层，位于晶体管结构上；第二电介质层，位于第一电介质层上，第二电介质层具有的第二氮浓度大于第一电介质层的第一氮浓度；第一导电结构，延伸穿过第二电介质层和第一电介质层，第一导电结构电耦合到晶体管结构的第一源极/漏极区域，第一导电结构的顶表面与第二电介质层的顶表面齐平；以及第二导电结构，物理和电耦合到第一导电结构，第二导电结构的底表面在第二电介质层的顶表面下方第一距离处。