Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"廖翊婷" Page 1

1.

发明公开
半导体结构及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN116564897A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310399400.3

申请日：2023-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖翊婷 , 陈朝祺 , 陈柏玮 , 胡希圣 , 蔡舜麒

IPC: H01L21/8238 , H01L27/092

Abstract: 本揭露描述一种半导体结构及其形成方法，特别是具有金属离子捕获层的半导体结构及形成该结构的方法。方法包括在基板上方形成第一鳍片结构及第二鳍片结构，并在第一鳍片结构上方形成第一栅极结构及在第二鳍片结构上方形成第二栅极结构，其中第一栅极结构与第二栅极结构邻接。方法进一步包括在第一栅极结构及第二栅极结构上形成介电层，移除第一栅极结构与第二栅极结构的邻接部分之上的介电层的一部分以形成开口，及在开口中形成金属离子捕获层。金属离子捕获层可减少金属漂移及/或迁移，减少具有不同功函数金属的邻接金属栅极中的泄漏电流，并改善装置性能。

Patent Agency Ranking