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发明公开
纳米片场效应晶体管器件及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN113130653A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010919434.7

申请日：2020-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨世海 , 杨柏峰 , 姚茜宁 , 徐志安

IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336

Abstract: 本公开涉及纳米片场效应晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件，包括突出于衬底上方的鳍；鳍之上的源极/漏极区域；源极/漏极区域之间的纳米片，其中纳米片包括第一半导体材料；在纳米片之间并且在纳米片的相反端部处的内部间隔件，其中在每个内部间隔件与源极/漏极区域的相应源极/漏极区域之间存在气隙；以及鳍之上并且在源极/漏极区域之间的栅极结构。

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