公开(公告)号：CN102737974B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110310523.2

申请日：2011-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建豪 ,  李威养 ,  唐伟烨 ,  于雄飞 ,  许光源

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及集成电路的制造，并且更具体地涉及一种带有多个栅极结构的半导体器件。该制造多个栅极结构的示例性方法包括：提供硅衬底；在衬底上方沉积伪氧化物层；在伪氧化物层上方沉积伪栅电极层；将层图案化，从而限定出多个伪栅极；在多个栅电极上形成含氮的侧壁隔离件；在含氮的侧壁隔离件之间形成层间介电层；通过原子层沉积(ALD)工艺，在层间介电层上选择性地沉积硬掩模层；去除伪栅电极层；去除伪氧化物层；沉积栅极电介质；以及沉积栅电极。本发明还提供了一种制造多个栅极结构的方法。

公开(公告)号：CN102737974A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110310523.2

申请日：2011-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建豪 ,  李威养 ,  唐伟烨 ,  于雄飞 ,  许光源

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及集成电路的制造，并且更具体地涉及一种带有多个栅极结构的半导体器件。该制造多个栅极结构的示例性方法包括：提供硅衬底；在衬底上方沉积伪氧化物层；在伪氧化物层上方沉积伪栅电极层；将层图案化，从而限定出多个伪栅极；在多个栅电极上形成含氮的侧壁隔离件；在含氮的侧壁隔离件之间形成层间介电层；通过原子层沉积(ALD)工艺，在层间介电层上选择性地沉积硬掩模层；去除伪栅电极层；去除伪氧化物层；沉积栅极电介质；以及沉积栅电极。本发明还提供了一种制造多个栅极结构的方法。