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公开(公告)号：CN119627019A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411272118.X
申请日：2024-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林周坤 , 哈沙·发达·裴努共达 , 吕孟昇 , 谭竞豪
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 一种(用于多芯片中介层的)互连结构包括：位于相应地相对于第一和第二垂直方向定义位置中的第一位置的通孔堆叠，通孔堆叠包括在垂直于第一和第三方向的第三方向上彼此堆叠的通孔；过渡层中的过渡区段，在第一位置与通孔堆叠中最上面的一个通孔重叠并耦接，过渡区段是导电的，至少在第一方向或第二方向上延伸，以与偏移第一位置的第二位置重叠；以及位于第二位置且位于通孔堆叠上方并耦接到通孔堆叠的第一接触凸块。
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