公开(公告)号：CN114664739A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210210125.1

申请日：2022-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪以则 ,  周昂升 ,  江宏礼 ,  陈自强 ,  郑兆钦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件、集成电路及其制造方法。一种半导体器件包括栅极层、沟道材料层、第一介电层及多个源极/漏极端子。栅极层设置在衬底之上。沟道材料层设置在栅极层之上，其中沟道材料层的材料包括第一低维材料。第一介电层位于栅极层与沟道材料层之间。多个源极/漏极端子与沟道材料层接触，其中沟道材料层至少局部地设置在多个源极/漏极端子之间且位于栅极层之上，且栅极层设置在衬底与多个源极/漏极端子之间。

公开(公告)号：CN114664760A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111021654.9

申请日：2021-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪以则 ,  周昂升 ,  江宏礼 ,  陈自强 ,  郑兆钦

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括设置在衬底上方的热传递层、沟道材料层、栅极结构以及源极及漏极端子。沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且设置在热传递层上，其中第一表面与热传递层接触。栅极结构设置在沟道材料层上方。源极及漏极端子与沟道材料层接触且位于栅极结构的相对的两侧处。通过设于衬底与沟道材料层之间的热传递层的热传导，可以增强器件的散热能力而改善器件性能。