公开(公告)号：CN113451215B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202110631750.9

申请日：2021-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周孟翰 ,  叶冠瑜 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  刘书豪 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。本公开提供了一种扩大用于形成源极/漏极接触件的工艺窗口的方法。该方法可以包括：接收包括源极/漏极特征的工件，该源极/漏极特征在被限定在两个栅极结构之间的源极/漏极开口中暴露；在源极/漏极开口的侧壁和源极/漏极特征的顶表面之上共形地沉积电介质层；各向异性地蚀刻电介质层，以暴露源极/漏极特征；对电介质层进行注入工艺；以及在执行注入工艺之后，对工件执行预清洁工艺。注入工艺包括非零倾斜角度。

公开(公告)号：CN113451215A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110631750.9

申请日：2021-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周孟翰 ,  叶冠瑜 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  刘书豪 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。本公开提供了一种扩大用于形成源极/漏极接触件的工艺窗口的方法。该方法可以包括：接收包括源极/漏极特征的工件，该源极/漏极特征在被限定在两个栅极结构之间的源极/漏极开口中暴露；在源极/漏极开口的侧壁和源极/漏极特征的顶表面之上共形地沉积电介质层；各向异性地蚀刻电介质层，以暴露源极/漏极特征；对电介质层进行注入工艺；以及在执行注入工艺之后，对工件执行预清洁工艺。注入工艺包括非零倾斜角度。