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公开(公告)号：CN113380707B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110341037.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种方法包括提供了一种结构，该结构具有从衬底延伸的两个鳍和与该鳍相邻的隔离结构；在隔离结构的上方和鳍的顶部和侧壁上方形成覆盖层；使用覆盖层作为蚀刻掩模使隔离结构凹进以暴露衬底；在使隔离结构凹进之后，在衬底、隔离结构和覆盖层上方沉积密封层；在密封层上方和两个鳍之间形成牺牲塞；并且在牺牲塞上方沉积介电顶部覆盖件并且横向地在两个鳍之间。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116247058A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310038068.8
申请日：2023-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 示例性器件包括衬底延伸部分上方的沟道层堆叠件、栅极和绝缘层。沟道层堆叠件在第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极之间延伸。栅极围绕沟道层堆叠件的每个沟道层。绝缘层位于衬底延伸部分上方，栅极位于沟道层堆叠件的最底部沟道层和绝缘层之间，并且绝缘层位于栅极和衬底延伸部分之间。绝缘层在第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极之间延伸，外延源极/漏极的每个可以包括未掺杂外延层。未掺杂外延层的顶面位于最底部沟道层的底面下方和/或绝缘层的顶面之上。绝缘层可以包裹衬底延伸部分和/或在其中具有气隙。本申请的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114927473A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210237902.1
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构，包含从基板突出的半导体鳍片、与半导体鳍片相邻且大致上平行设置的介电鳍片、设置于半导体鳍片中的外延源极/漏极(S/D)部件、设置于外延S/D部件的侧壁与介电鳍片的侧壁之间的介电层、以及设置于介电层中的气隙。
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公开(公告)号：CN113380707A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110341037.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种方法包括提供了一种结构，该结构具有从衬底延伸的两个鳍和与该鳍相邻的隔离结构；在隔离结构的上方和鳍的顶部和侧壁上方形成覆盖层；使用覆盖层作为蚀刻掩模使隔离结构凹进以暴露衬底；在使隔离结构凹进之后，在衬底、隔离结构和覆盖层上方沉积密封层；在密封层上方和两个鳍之间形成牺牲塞；并且在牺牲塞上方沉积介电顶部覆盖件并且横向地在两个鳍之间。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114927467A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210186334.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括提供一种半导体构件包括从一基底突出的一装置鳍部；在装置鳍部的上方形成一虚置栅极堆叠；在装置鳍部和虚置栅极堆叠的上方形成第一间隔物；在第一间隔物上方形成一第二间隔物；形成与第二间隔物相邻的一介电部件；以及用一金属栅极堆叠替换虚置栅极堆叠。在替换虚置栅极堆叠之后，此方法是去除第二间隔物，从而在第一间隔物与介电部件之间形成一气隙，且气隙环绕装置鳍部。之后，此方法是在第一间隔物和介电部件的上方形成一密封层，从而密封气隙。
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公开(公告)号：CN114823516A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210080012.4
申请日：2022-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，包括：半导体基板以及通道层的堆叠在半导体基板上。最顶部通道层的顶表面沿着相对于基板表面的第一高度延伸。最底部通道层的底表面沿着相对于基板表面的第二高度延伸。装置还包括栅极结构，啮合通道层的堆叠且沿着第一方向延伸。额外地，装置包括源极/漏极部件，在通道层的堆叠的第一侧壁表面上以及在基板上，第一侧壁表面平行于第一方向延伸。此外，源极/漏极部件在第一高度具有沿着第一方向的第一宽度，且在第二高度具有沿着第一方向的第二宽度，以及其中第一宽度大于第二宽度。
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公开(公告)号：CN222442149U
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202420612227.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构，包括基板、隔离结构、第一纳米结构的垂直堆叠、多个第一源极/漏极结构、介电层及第一栅极结构。基板包括第一台面结构与第二台面结构；隔离结构延伸于第一台面结构与第二台面结构之间；第一纳米结构的垂直堆叠直接位于第一台面结构上；多个第一源极/漏极结构耦接至第一纳米结构的垂直堆叠；介电层包括第一部分位于隔离结构之上以及第二部分位于第一源极/漏极结构与基板之间；第一栅极结构包覆第一纳米结构的垂直堆叠的每一纳米结构。
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公开(公告)号：CN221102090U
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202322606056.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一鳍片及第二鳍片。第一鳍片由基板延伸并包括第一晶体管，其中第一鳍片包括第一栅极结构及相邻于第一栅极结构的第一源极/漏极部件。第二鳍片由基板延伸并包括第二晶体管，其中第二鳍片包括第二栅极结构及相邻于第二栅极结构的第二源极/漏极部件。其中，第一鳍片具有横向接触于第一源极/漏极部件的第一数量的多个半导体通道层，其中第二鳍片具有横向接触于第二源极/漏极部件的第二数量的多个半导体通道层，且其中第一鳍片或第二鳍片的多个半导体通道层中的至少一个为电惰性。
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公开(公告)号：CN221632571U
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202323059154.1
申请日：2023-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路装置，包括半导体基板、一第一源极/漏极结构与一第二源极/漏极结构、多个半导体层、栅极结构及内侧间隔物。半导体基板具有上表面；第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构位于半导体基板上；多个半导体层纵向延伸于第一方向中并连接第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构，其中半导体层分开并堆叠于第二方向上，第二方向垂直于第一方向，且第二方向垂直于半导体基板的上表面；栅极结构接合并包覆半导体层的中心部分，其中栅极结构包括栅极介电层与栅极；内侧间隔物夹设于第一源极/漏极结构与栅极之间，其中内侧间隔物接触栅极介电层的侧壁与栅极的侧壁。
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公开(公告)号：CN219873539U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202320950709.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供一种半导体结构。在一个实施例中，例示性半导体结构包括：第一多个通道构件位于基板上方；第二多个通道构件位于基板上方；第三多个通道构件位于基板上方；栅极结构包绕(wrapping around)第一多个通道构件、第二多个通道构件及第三多个通道构件；第一虚置鳍片设置于第一多个通道构件与第二多个通道构件之间；以及第二虚置鳍片设置于第二多个通道构件与第三多个通道构件之间，其中第一虚置鳍片的顶表面位于栅极结构的顶表面之上，且第二虚置鳍片的顶表面位于栅极结构的顶表面之下。
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