公开(公告)号：CN103579096A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310294063.8

申请日：2013-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘之敬 ,  陈硕懋 ,  叶德强 ,  侯上勇 ,  郑心圃

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0215 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分。第二宽度不同于第一宽度。方法包括在与第一金属化层相邻的第二金属化层中形成第二导电结构，并且将第二导电结构的部分连接至第一导电结构的第一部分。

公开(公告)号：CN103579096B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310294063.8

申请日：2013-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘之敬 ,  陈硕懋 ,  叶德强 ,  侯上勇 ,  郑心圃

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0215 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分。第二宽度不同于第一宽度。方法包括在与第一金属化层相邻的第二金属化层中形成第二导电结构，并且将第二导电结构的部分连接至第一导电结构的第一部分。