公开(公告)号：CN101378062B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200810214953.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 野村刚彦 ,  神林宏 ,  新山勇树 ,  吉田清辉

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/86 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H03K3/0315

Abstract: 一种ED反相电路及包含ED反相电路的集成电路元件，其中具有较宽带隙的第二氮化物基化物半导体的第二半导体层形成在具有较小带隙的第一氮化物基化合物半导体的第一半导体层上，该第二半导体层包括开口，在通过开口露出的第一半导体层的一部分上形成栅绝缘层。在第一栅电极两侧形成的第一源电极和第一漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。第二栅电极与第二半导体层形成肖特基接触，在第二栅电极两侧形成的第二源电极和第二漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101378062A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810214953.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 野村刚彦 ,  神林宏 ,  新山勇树 ,  吉田清辉

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/86 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H03K3/0315

Abstract: 一种ED反相电路及包含ED反相电路的集成电路元件，其中具有较宽带隙的第二氮化物基化物半导体的第二半导体层形成在具有较小带隙的第一氮化物基化合物半导体的第一半导体层上，该第二半导体层包括开口，在通过开口露出的第一半导体层的一部分上形成栅绝缘层。在第一栅电极两侧形成的第一源电极和第一漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。第二栅电极与第二半导体层形成肖特基接触，在第二栅电极两侧形成的第二源电极和第二漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。