公开(公告)号：CN1561567A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819066.1

申请日：2002-09-25

Applicant: 三井化学株式会社 ,  古河电气工业株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  冈田知 ,  藤本毅 ,  小矶武 ,  室清文 ,  大久保典雄 ,  大木泰

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0652 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/146 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry－Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时，则Γ与d之间满足下式：Γ/d≤1.3×10－3nm－1的关系。

公开(公告)号：CN100397734C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN03810405.9

申请日：2003-05-08

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 早水尚树 ,  大木泰 ,  青柳秀雄 ,  小矶武 ,  山形友二 ,  室清文

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/146 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/02

Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是-40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10-3nm-1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。

公开(公告)号：CN1653659A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810405.9

申请日：2003-05-08

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 早水尚树 ,  大木泰 ,  青柳秀雄 ,  小矶武 ,  山形友二 ,  室清文

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/146 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/02

Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是－40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10－3nm－1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。

公开(公告)号：CN1278464C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02819066.1

申请日：2002-09-25

Applicant: 三井化学株式会社 ,  古河电气工业株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  冈田知 ,  藤本毅 ,  小矶武 ,  室清文 ,  大久保典雄 ,  大木泰

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0652 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/146 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时，则г与d之间满足下式：г/d≤1.3×10-3nm-1的关系。

公开(公告)号：CN1663087A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03815009.3

申请日：2003-06-27

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 大枝靖雄 ,  室清文 ,  大久保典雄

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/20 ,  H01S5/2004

Abstract: 在n型衬底(1)上，依次层叠了n型包层(2)、n型波导层(3)、n型载流子阻挡层(4)、激活层(5)、p型载流子阻挡层(6)、p型波导层(7)。在p型波导层(7)内部，在除去了长度方向与光出射方向平行的带状的一部分区域以外的部分上，配置了n型阻流层(8)。在p型波导层(7)上，依次层叠了p型包层(9)、p型接触层(10)、p侧电极(11)。在n型衬底(1)的底面上，配置了n侧电极(12)。此外，对从外部入射的光的波长，n型包层(2)的折射率具有与有效折射率相等的值；而对出射波长的光，n型包层(2)及p型包层(9)具有比有效折射率低的折射率。