公开(公告)号：CN100407524C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480006569.3

申请日：2004-04-19

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 山田由美 ,  和泉亮

IPC: H01S5/16

CPC classification number: H01S5/162 ,  H01S5/028

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，其制造含有混晶化的区域的半导体元件，其包括：在与窗结构(14)对应的部分形成混晶化促进膜(8)的工序；利用催化剂CVD法在窗结构(14)以外的部分至少形成保护膜(9)的工序；通过热处理对窗结构(14)部分进行混晶化的工序，由此，仅将窗结构等的要局部混晶化的部分混晶化，不影响其它不混晶化的部分，而制造半导体激光元件等半导体元件，制造出高功率、寿命长且可靠性高的半导体元件。

公开(公告)号：CN1759509A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006569.3

申请日：2004-04-19

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 山田由美 ,  和泉亮

IPC: H01S5/16

CPC classification number: H01S5/162 ,  H01S5/028

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，其制造含有混晶化的区域的半导体元件，其包括：在与窗结构(14)对应的部分形成混晶化促进膜(8)的工序；利用催化剂CVD法在窗结构(14)以外的部分至少形成保护膜(9)的工序；通过热处理对窗结构(14)部分进行混晶化的工序，由此，仅将窗结构等的要局部混晶化的部分混晶化，不影响其它不混晶化的部分，而制造半导体激光元件等半导体元件，制造出高功率、寿命长且可靠性高的半导体元件。