公开(公告)号：CN104080943B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201380004880.3

申请日：2013-03-07

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 尹荣徳 ,  安藤俊之 ,  上田健一郎

IPC: C23C14/34 ,  C22F1/08 ,  H01L21/285 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/08 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在靶溅镀时防止发生颗粒、飞溅和粉尘等粗大丛集，且提高由溅镀形成的薄膜膜厚的均匀性的溅镀靶。该溅镀靶以纯度为99.9质量％以上的铜为主成分，其特征在于，含有10ppm以下的硫(S)、及2ppm以下的铅(Pb)，且优选所述铜的纯度为99.96质量％以上。

公开(公告)号：CN104080943A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380004880.3

申请日：2013-03-07

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 尹荣徳 ,  安藤俊之 ,  上田健一郎

IPC: C23C14/34 ,  C22F1/08 ,  H01L21/285 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/08 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在靶溅镀时防止发生颗粒、飞溅和粉尘等粗大丛集，且提高由溅镀形成的薄膜膜厚的均匀性的溅镀靶。该溅镀靶以纯度为99.9质量％以上的铜为主成分，其特征在于，含有10ppm以下的硫(S)、及2ppm以下的铅(Pb)，且优选所述铜的纯度为99.96质量％以上。