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公开(公告)号：CN117130150A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311010373.2
申请日：2023-08-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种光镊装置及其制造方法，其中该光镊装置包括透明基底、半导体层、第一电极、绝缘结构以及反射层。半导体层位于透明基底之上，且包括第一掺杂区、第二掺杂区以及过渡区。过渡区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第一电极位于第一掺杂区上，且电连接至第一掺杂区。绝缘结构位于该过渡区上。绝缘结构具有在透明基板的法线方向上重叠于第一电极的第一开口。反射层位于绝缘结构上，且具有在法线方向上重叠于第一开口的第二开口。
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公开(公告)号：CN112542545A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011286257.X
申请日：2020-11-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种主动元件，包括基板、第一电极、第二电极、有机半导体层、绝缘层以及栅极。第一电极的第一侧壁面对第二电极的第一侧壁。第一电极的第二侧壁面对第二电极的第二侧壁。第一电极的第一侧壁与第二电极的第一侧壁之间的距离大于第一电极的第二侧壁与第二电极的第二侧壁之间的距离。有机半导体层填入第一电极与第二电极之间的间隙。有机半导体层接触第一电极的第一侧壁与第二侧壁以及第二电极的第一侧壁与第二侧壁。绝缘层覆盖有机半导体层。栅极位于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN108010969B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201711364304.6
申请日：2017-12-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0203 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 一种感测单元，包括第一绝缘层、感光元件、二极管元件和发光元件。感光元件设置于第一绝缘层上。感光元件包括第一下电极、感测层和第一上电极。第一下电极位于第一绝缘层上。二极管元件设置于第一绝缘层上。二极管元件包括第二下电极、半导体层和第二上电极。第二下电极位于第一绝缘层上。发光元件设置于感光元件上方。发光元件包括第三下电极、发光层和第三上电极。二极管元件的第二下电极和第二上电极二者之中作为阳极者和作为阴极者，分别电性耦接至发光元件的第三下电极和第三上电极二者之中作为阴极者和作为阳极者。
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公开(公告)号：CN114822904B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210644783.1
申请日：2022-06-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G21K1/00
Abstract: 一种光镊装置及其制造方法，光镊装置包括透明基底、半导体层、第一电极以及介电层。半导体层位于透明基底之上，且包括第一掺杂区、第二掺杂区以及过渡区，其中过渡区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第一电极位于第一掺杂区上，且电性连接至第一掺杂区。介电层位于半导体层之上，且具有重叠于第一电极的第一通孔。
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公开(公告)号：CN119757773A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411936042.6
申请日：2024-12-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种生物晶片，包括电路基板、封装材料层以及上基板。电路基板上设置有导电接垫。封装材料层配置于电路基板上。封装材料层定义通孔，其中通孔在电路基板上的垂直投影覆盖导电接垫。上基板包括第一导电层。上基板上设置有第一开孔，第一导电层从第一开孔暴露出来。第一开孔在电路基板上的垂直投影重叠通孔在电路基板上的垂直投影。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112542545B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011286257.X
申请日：2020-11-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种主动元件，包括基板、第一电极、第二电极、有机半导体层、绝缘层以及栅极。第一电极的第一侧壁面对第二电极的第一侧壁。第一电极的第二侧壁面对第二电极的第二侧壁。第一电极的第一侧壁与第二电极的第一侧壁之间的距离大于第一电极的第二侧壁与第二电极的第二侧壁之间的距离。有机半导体层填入第一电极与第二电极之间的间隙。有机半导体层接触第一电极的第一侧壁与第二侧壁以及第二电极的第一侧壁与第二侧壁。绝缘层覆盖有机半导体层。栅极位于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN113394342A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110647088.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种有机半导体装置。有机半导体装置包括基板以及设置于基板上的扫描线、数据线、源极与漏极、有机半导体图案、有机绝缘层、栅极及有机保护层。源极电性连接至数据线。有机半导体图案位于源极与漏极之间。有机绝缘层位于有机半导体图案的上表面与侧表面。有机绝缘层至少位于有机半导体图案的侧表面与栅极之间以及位于有机半导体图案的上表面与栅极之间。栅极电性连接至扫描线。有机保护层覆盖栅极。
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公开(公告)号：CN110333009A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910643567.3
申请日：2019-07-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G01L1/16 , H01L41/113
Abstract: 一种压电感测器，包括基底、多个主动元件、多个电极以及压电膜。主动元件设置于基底上。电极设置基底上，且与主动元件电性连接。压电膜设置于电极上，且具有朝向电极的第一表面以及设置于第一表面的对向的第二表面。压电膜的第一表面具有多个第一凹部及第一凹部所定义的多个第一凸部。压电膜的第二表面具有多个第二凹部以及第二凹部所定义的多个第二凸部。第一凸部对应于第二凸部设置，且第一凹部对应于第二凹部设置。
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公开(公告)号：CN113889576B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111139717.0
申请日：2021-09-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种有机半导体基板。有机半导体基板包括基底、第一导电图案、第二导电图案、第一金属氧化物图案、第二金属氧化物图案、有机平坦图案层、源极、漏极、有机半导体图案、有机栅绝缘层及栅极。第一导电图案及第二导电图案设置于基底上且彼此分离。第一金属氧化物图案及第二金属氧化物图案分别覆盖且分别电性连接至第一导电图案及第二导电图案。有机平坦图案层的第一部设置于第一金属氧化物图案与第二金属氧化物图案之间。第一金属氧化物图案的表面与基底具有第一距离。有机平坦图案层的第一部的表面与基底具有第二距离。第二距离小于或等于第一距离。
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公开(公告)号：CN113889576A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111139717.0
申请日：2021-09-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种有机半导体基板。有机半导体基板包括基底、第一导电图案、第二导电图案、第一金属氧化物图案、第二金属氧化物图案、有机平坦图案层、源极、漏极、有机半导体图案、有机栅绝缘层及栅极。第一导电图案及第二导电图案设置于基底上且彼此分离。第一金属氧化物图案及第二金属氧化物图案分别覆盖且分别电性连接至第一导电图案及第二导电图案。有机平坦图案层的第一部设置于第一金属氧化物图案与第二金属氧化物图案之间。第一金属氧化物图案的表面与基底具有第一距离。有机平坦图案层的第一部的表面与基底具有第二距离。第二距离小于或等于第一距离。
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