数字模拟转换器及其降低尖峰信号的方法

    公开(公告)号:CN100372234C

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN03141250.5

    申请日:2003-06-04

    Inventor: 胡珍仪 孙文堂

    Abstract: 本发明提供一种数字模拟转换器及其降低尖峰信号的方法。该数字模拟转换器包含多组位元电路,其中每一组位元电路分别对应于该数字电压信号的各个位元,该方法包括:接收该数字电压信号;将对应于该数字电压信号的各个位元中变化量最小的位元的该位元电路靠近一输出模块;以及输出一对应于该数字电压信号的模拟电压信号。

    互补式金氧半导体及其组合元件

    公开(公告)号:CN1549346A

    公开(公告)日:2004-11-24

    申请号:CN03136429.2

    申请日:2003-05-19

    Inventor: 胡珍仪 孙文堂

    Abstract: 本发明提供一种互补式金氧半导体,是由一第一型薄膜晶体管以及一第二型薄膜晶体管所构成,而第一型薄膜晶体管包括一栅极、一通道区、一第一型掺杂区以及一源极掺杂区,其中通道区、第一型掺杂区与源极掺杂区沿一第一方向排列配置。第二型薄膜晶体管则包括一栅极、一通道区、一第二型掺杂区以及一漏极掺杂区,其中通道区、第二型掺杂区与漏极掺杂区亦沿第一方向排列配置,且第二型掺杂区与第一型掺杂区沿一第二方向排列配置,第二方向系与第一方向垂直。而且,各薄膜晶体管中的掺杂区通过一导线电性相连,其中前述导线的延伸方向为第二方向。

    互补金属氧化物半导体及其组合元件

    公开(公告)号:CN1299363C

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN03136429.2

    申请日:2003-05-19

    Inventor: 胡珍仪 孙文堂

    Abstract: 本发明提供一种互补金属氧化物半导体,是由一第一型薄膜晶体管以及一第二型薄膜晶体管所构成,而第一型薄膜晶体管包括一栅极、一沟道区、一第一型掺杂区以及一源极掺杂区,其中沟道区、第一型掺杂区与源极掺杂区沿一第一方向排列配置。第二型薄膜晶体管则包括一栅极、一沟道区、一第二型掺杂区以及一漏极掺杂区,其中沟道区、第二型掺杂区与漏极掺杂区亦沿第一方向排列配置,且第二型掺杂区与第一型掺杂区沿一第二方向排列配置,第二方向系与第一方向垂直。而且,各薄膜晶体管中的掺杂区通过一导线电性相连,其中前述导线的延伸方向为第二方向。

    数字模拟转换器及其降低尖峰信号的方法

    公开(公告)号:CN1553578A

    公开(公告)日:2004-12-08

    申请号:CN03141250.5

    申请日:2003-06-04

    Inventor: 胡珍仪 孙文堂

    Abstract: 本发明提供一种数字模拟转换器及其降低尖峰信号的方法。该数字模拟转换器包含多组位元电路,其中每一组位元电路分别对应于该数字电压信号的各个位元,该方法包括:接收该数字电压信号;将对应于该数字电压信号的各个位元中变化量最小的位元的该位元电路靠近一输出模块;以及输出一对应于该数字电压信号的模拟电压信号。

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