显示装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111312927B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202010139007.7

    申请日:2020-03-03

    Abstract: 本公开提供一种显示装置,包括发光元件阵列以及多层膜。多层膜设置在发光元件阵列上方,并包括第一光学单元、第二光学单元以及第三光学单元。第一光学单元包括层叠的第一高折射率透光层及第一低折射率透光层。第二光学单元包括层叠的第二高折射率透光层及第二低折射率透光层。第三光学单元包括层叠的第三高折射率透光层及第三低折射率透光层。第二光学单元位于第一与第三光学单元之间。第一与第三高折射率透光层各自的厚度小于第二高折射率透光层的厚度,且第一与第三低折射率透光层各自的厚度小于第二低折射率透光层的厚度。

    显示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110690361A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910974262.0

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 一种显示装置,包含发光元件阵列以及设置在发光元件阵列上方的多层膜。发光元件阵列可提供光束,且光束的强度与波长之间的关系于波长频谱上具有第一、第二以及第三峰值。多层膜的光穿透率与波长之间的关系于波长频谱上具有第一、第二以及第三波峰。第一峰值与第一波峰相对应,且第一峰值的半高宽小于与第一波峰相邻的一对波谷之间的距离。第二峰值与第二波峰相对应,且第二峰值的半高宽小于与第二波峰相邻的一对波谷之间的距离。第三峰值与第三波峰相对应,且第三峰值的半高宽小于与第三波峰相邻的一对波谷之间的距离。

    有机发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109461843A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811325561.3

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光装置,具一发光区与一非发光区,包括一基板、一第一电极、一第二电极以及多个有机发光结构。第一电极设置于发光区。第二电极位于第一电极上,且第二电极对应第一电极设置于发光区及非发光区。这些有机发光结构位于第一电极与第二电极之间。各有机发光结构包括一电洞传输层及一发光层。发光层包覆电洞传输层。一种有机发光装置的制造方法亦被提及。

    有机发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109461843B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201811325561.3

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光装置,具一发光区与一非发光区,包括一基板、一第一电极、一第二电极以及多个有机发光结构。第一电极设置于发光区。第二电极位于第一电极上,且第二电极对应第一电极设置于发光区及非发光区。这些有机发光结构位于第一电极与第二电极之间。各有机发光结构包括一电洞传输层及一发光层。发光层包覆电洞传输层。一种有机发光装置的制造方法亦被提及。

    显示装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111312927A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010139007.7

    申请日:2020-03-03

    Abstract: 本公开提供一种显示装置,包括发光元件阵列以及多层膜。多层膜设置在发光元件阵列上方,并包括第一光学单元、第二光学单元以及第三光学单元。第一光学单元包括层叠的第一高折射率透光层及第一低折射率透光层。第二光学单元包括层叠的第二高折射率透光层及第二低折射率透光层。第三光学单元包括层叠的第三高折射率透光层及第三低折射率透光层。第二光学单元位于第一与第三光学单元之间。第一与第三高折射率透光层各自的厚度小于第二高折射率透光层的厚度,且第一与第三低折射率透光层各自的厚度小于第二低折射率透光层的厚度。

    显示装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110690361B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201910974262.0

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 一种显示装置,包含发光元件阵列以及设置在发光元件阵列上方的多层膜。发光元件阵列可提供光束,且光束的强度与波长之间的关系于波长频谱上具有第一、第二以及第三峰值。多层膜的光穿透率与波长之间的关系于波长频谱上具有第一、第二以及第三波峰。第一峰值与第一波峰相对应,且第一峰值的半高宽小于与第一波峰相邻的一对波谷之间的距离。第二峰值与第二波峰相对应,且第二峰值的半高宽小于与第二波峰相邻的一对波谷之间的距离。第三峰值与第三波峰相对应,且第三峰值的半高宽小于与第三波峰相邻的一对波谷之间的距离。

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