公开(公告)号：CN103668107A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310494848.X

申请日：2013-10-21

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 张景翔 ,  龚彦诚 ,  徐柏清 ,  吴忠帜 ,  林炫佑 ,  黄泰翔 ,  吕仁贵 ,  杉浦规生

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02216 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L23/291 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用以阻障水气及氧气穿透的阻障薄膜，包括单一膜层，以有机硅化物为前驱物经化学气相沉积(CVD)成长而成。此单一膜层至少具有硅原子(Si)、氧原子(O)及碳原子(C)，并具有碳/硅原子比例介于约0.1-0.5，及氧/硅原子比例介于约2.0-2.5。硅与氧原子在单一膜层中形成四种键结结构：Si(-O)4、Si(-O)3、Si(-O)2及Si(-O)1。在四种键结结构总量为100%中，Si(-O)4、Si(-O)3、Si(-O)2及Si(-O)1的键结结构分别占约50%-99.9%、0.01%-50%、0%-10%及0%-10%。

公开(公告)号：CN103668107B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201310494848.X

申请日：2013-10-21

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 张景翔 ,  龚彦诚 ,  徐柏清 ,  吴忠帜 ,  林炫佑 ,  黄泰翔 ,  吕仁贵 ,  杉浦规生

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02216 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L23/291 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用以阻障水气及氧气穿透的阻障薄膜，包括单一膜层，以有机硅化物为前驱物经化学气相沉积(CVD)成长而成。此单一膜层至少具有硅原子(Si)、氧原子(O)及碳原子(C)，并具有碳/硅原子比例介于约0.1-0.5，及氧/硅原子比例介于约2.0-2.5。硅与氧原子在单一膜层中形成四种键结结构：Si(-O)4、Si(-O)3、Si(-O)2及Si(-O)1。在四种键结结构总量为100%中，Si(-O)4、Si(-O)3、Si(-O)2及Si(-O)1的键结结构分别占约50%-99.9%、0.01%-50%、0%-10%及0%-10%。