公开(公告)号：CN118588734A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410630184.3

申请日：2024-05-21

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 廖柏咏 ,  黄颂祐

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、半导体结构、栅介电层、突起结构以及栅极。第一源极/漏极位于基板之上。隔离结构位于第一源极/漏极上，且具有重叠于第一源极/漏极的第一通孔。第二源极/漏极设置于隔离结构上。半导体结构从第二源极/漏极沿着第一通孔的侧壁延伸至第一源极/漏极。栅介电层位于半导体结构上。突起结构，位于第二源极/漏极之上，且具有重叠于第一通孔的第二通孔。栅极位于栅介电层上，且从突起结构上方延伸进入第二通孔中以及第一通孔中。第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、突起结构以及栅极在第一方向上依序堆叠。

公开(公告)号：CN114188304B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202111477229.0

申请日：2021-12-06

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杜佳豪 ,  廖柏咏 ,  孙铭伟 ,  温又卿 ,  任珂锐 ,  何毅达 ,  黄颂祐

IPC: H01L23/528 ,  H10H29/30 ,  H10H29/41 ,  H10H29/49

Abstract: 一种半导体装置包括基板、第一、二半导体层、第一、二、三绝缘层及第一、二导电层。第一半导体层设于基板上且具第一部。第一绝缘层设于第一半导体层上。第一导电层设于第一绝缘层上且具第一部。第二绝缘层设于第一导电层上。第二半导体层设于第二绝缘层上且具第一部。第一半导体层第一部、第一导电层第一部及第二半导体层第一部沿远离基板方向依序设置。第三绝缘层设于第二半导体层上。第二导电层设于第三绝缘层上。第二导电层具第一、二、三及四部。第二导电层第一、二部彼此分离且通过第三绝缘层多个接触窗分别电连接至第一半导体层第一部不同两区。第二导电层第三、四部彼此分离且通过所述多个接触窗分别电连接至第二半导体层第一部不同两区。

公开(公告)号：CN118588735A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410630253.0

申请日：2024-05-21

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 廖柏咏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括基板、第一源极/漏极、补氧结构、隔离结构、第二源极/漏极、半导体结构、栅介电层以及栅极。第一源极/漏极位于基板之上。补氧结构位于第一源极/漏极之上。隔离结构接触补氧结构的顶面，且具有重叠于第一源极/漏极的通孔。第二源极/漏极位于隔离结构上。半导体结构从第二源极/漏极延伸进通孔中，且半导体结构电连接第一源极/漏极与第二源极/漏极。栅介电层位于半导体结构上。栅极位于栅介电层上。

公开(公告)号：CN114188304A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111477229.0

申请日：2021-12-06

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杜佳豪 ,  廖柏咏 ,  孙铭伟 ,  温又卿 ,  任珂锐 ,  何毅达 ,  黄颂祐

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/15

Abstract: 一种半导体装置包括基板、第一、二半导体层、第一、二、三绝缘层及第一、二导电层。第一半导体层设于基板上且具第一部。第一绝缘层设于第一半导体层上。第一导电层设于第一绝缘层上且具第一部。第二绝缘层设于第一导电层上。第二半导体层设于第二绝缘层上且具第一部。第一半导体层第一部、第一导电层第一部及第二半导体层第一部沿远离基板方向依序设置。第三绝缘层设于第二半导体层上。第二导电层设于第三绝缘层上。第二导电层具第一、二、三及四部。第二导电层第一、二部彼此分离且通过第三绝缘层多个接触窗分别电连接至第一半导体层第一部不同两区。第二导电层第三、四部彼此分离且通过所述多个接触窗分别电连接至第二半导体层第一部不同两区。

公开(公告)号：CN114171600A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111474591.2

申请日：2021-12-03

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 廖柏咏 ,  何毅达

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开一种主动元件基板，包括基板、第一半导体层、栅极绝缘层、第一栅极、第一源极、第一漏极以及遮蔽电极。第一半导体层包括依序连接的第一重掺杂区、第一轻掺杂区、沟道区、第二轻掺杂区以及第二重掺杂区。第一栅极位于栅极绝缘层上，且重叠于沟道区。第一源极电连接至第一重掺杂区。第一漏极电连接至第二重掺杂区。遮蔽电极在基板的法线方向上重叠于第二轻掺杂区。