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公开(公告)号：CN114050173A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111366851.4
申请日：2021-11-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种柔性显示面板，包含基板、多个镂空区、多个显示单元、多个导线结构及多个隔离件。基板定义出多个岛区彼此分隔，以及多个桥区分别连接两相邻的岛区。各镂空区由相邻的四个岛区与相邻的四个桥区所围绕而成。显示单元分别设置于基板的岛区。导线结构分别设置在基板的桥区，且导线结构电性连接显示单元。各导线结构包含至少一导线层，至少一导线层包含至少一导线，设置于基板上。隔离件接触设置于基板且分别环设于镂空区，且隔离件与导线结构相分隔，以控制蚀刻尺寸。
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公开(公告)号：CN114927060B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210518001.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09F9/30 , G09G3/32 , G09G3/3225
Abstract: 一种可拉伸显示面板包括基板、多个电路结构、多个发光元件、多条信号线、激光吸收层与可拉伸填充材料。基板具有多个岛区以及多个桥区，其中这些岛区连接这些桥区，而这些岛区与这些桥区定义基板的多个开口。这些电路结构设置于这些岛区上。这些发光元件设置于这些电路结构上，而这些信号线设置于这些桥区上，其中这些信号线电性连接这些电路结构。激光吸收层至少设置于这些开口。可拉伸填充材料设置于基板之上，其中可拉伸填充材料至少覆盖激光吸收层与这些发光元件。
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公开(公告)号：CN116779686A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310829731.6
申请日：2023-07-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中该薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极以及漏极。半导体层包括第一重掺杂区、第二重掺杂区、桥接区、第一沟道区、第二沟道区、第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区。第一轻掺杂区连接桥接区与第一沟道区。第二轻掺杂区连接桥接区与第二沟道区。桥接区的掺杂浓度大于第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区的掺杂浓度。栅极重叠于桥接区、第一沟道区、第二沟道区、第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区。源极以及漏极分别电连接至第一重掺杂区以及第二重掺杂区。
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公开(公告)号：CN114927060A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210518001.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09F9/30 , G09G3/32 , G09G3/3225
Abstract: 一种可拉伸显示面板包括基板、多个电路结构、多个发光元件、多条信号线、激光吸收层与可拉伸填充材料。基板具有多个岛区以及多个桥区，其中这些岛区连接这些桥区，而这些岛区与这些桥区定义基板的多个开口。这些电路结构设置于这些岛区上。这些发光元件设置于这些电路结构上，而这些信号线设置于这些桥区上，其中这些信号线电性连接这些电路结构。激光吸收层至少设置于这些开口。可拉伸填充材料设置于基板之上，其中可拉伸填充材料至少覆盖激光吸收层与这些发光元件。
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公开(公告)号：CN114582919A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210215660.6
申请日：2022-03-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种可拉伸基板以及可拉伸显示装置，可拉伸基板包括图案化绝缘结构、多条导线、多个显示元件以及多个覆盖层。图案化绝缘结构包括多个装置部以及多个线路部。各装置部的表面具有至少一第一凹槽。装置部中的至少两个被凹部隔开。各线路部的宽度小于各装置部的宽度。相邻的装置部经由对应的线路部而相连。导线位于线路部中。显示元件位于装置部上。各装置部的至少一第一凹槽至少部分环绕对应的显示元件。各覆盖层位于对应的一个装置部上，且覆盖对应的显示元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120050977A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510159645.8
申请日：2025-02-13
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种控制电路、薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括缓冲层、半导体层、栅极介电层、第一栅极、源极及漏极。缓冲层设置于基板上。缓冲层的上表面具有第一面、第二面、第三面、第四面及第五面。第一面、第二面、第三面、第四面及第五面依续地连接而形成凹陷。半导体层设置于凹陷中。栅极介电层设置于基板、半导体层及缓冲层上。第一栅极设置于栅极介电层上且对应半导体层。源极及漏极设置于基板上且连接于半导体层。
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公开(公告)号：CN119497424A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411643610.3
申请日：2024-11-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H10D86/01 , H10D86/60 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1685 , G02F1/167
Abstract: 本发明公开一种显示装置及主动元件基板的制造方法，其中显示装置包括基板、第一校正标记、绝缘层、半导体层、栅极介电层、栅极、层间介电层、源极以及漏极。基板具有显示区以及环绕显示区的周边区。周边区中包括校正标记区，且显示区中包括主动元件区。第一校正标记位于校正标记区之上。绝缘层位于基板之上，且从主动元件区延伸至校正标记区。绝缘层具有重叠于第一校正标记的校正开口。半导体层位于主动元件区之上。绝缘层至少部分重叠于半导体层。栅极介电层位于半导体层以及校正开口上。
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公开(公告)号：CN114188304B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111477229.0
申请日：2021-12-06
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H10H29/30 , H10H29/41 , H10H29/49
Abstract: 一种半导体装置包括基板、第一、二半导体层、第一、二、三绝缘层及第一、二导电层。第一半导体层设于基板上且具第一部。第一绝缘层设于第一半导体层上。第一导电层设于第一绝缘层上且具第一部。第二绝缘层设于第一导电层上。第二半导体层设于第二绝缘层上且具第一部。第一半导体层第一部、第一导电层第一部及第二半导体层第一部沿远离基板方向依序设置。第三绝缘层设于第二半导体层上。第二导电层设于第三绝缘层上。第二导电层具第一、二、三及四部。第二导电层第一、二部彼此分离且通过第三绝缘层多个接触窗分别电连接至第一半导体层第一部不同两区。第二导电层第三、四部彼此分离且通过所述多个接触窗分别电连接至第二半导体层第一部不同两区。
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公开(公告)号：CN114628433A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210355596.1
申请日：2022-04-06
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种可拉伸显示面板，包括第一可拉伸膜、第一透明光学胶、图案化有机层、多个发光元件以及多条导线。第一透明光学胶位于第一可拉伸膜上。图案化有机层包括多个第一岛状部以及多个第一桥接部。相邻的第一岛状部经由对应的第一桥接部而相连。发光元件位于第一岛状部上方。第一透明光学胶位于发光元件与第一可拉伸膜之间。图案化有机层的第一面背对发光元件。第一面与第一岛状部的第一侧面之间的夹角大于90度。导线位于第一桥接部上方。
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公开(公告)号：CN117577533A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311427598.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中该薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极、源极及漏极。半导体层具有第一重掺杂区、第二重掺杂区、第三重掺杂区、本征区及轻掺杂区。栅极遮蔽本征区及第一重掺杂区的第一部。第一重掺杂区的第二部位于栅极的面积外。源极及漏极分别电连接至半导体层的第二重掺杂区及第三重掺杂区。源极与漏极在第一方向上排列。第一重掺杂区的第一部与栅极具有重叠区。重叠区在第一方向上的长度大于本征区在第一方向上的长度。
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