公开(公告)号：CN119694904A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411769941.1

申请日：2024-12-04

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 时庆楠 ,  杨东晓

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开实施例提供一种凸块结构及其制备方法、半导体器件，凸块结构制备方法包括：提供表面具有种子层的半导体器件；通过电镀工艺在种子层上形成钯凸块，形成的钯凸块的厚度范围为0.1μm～5μm；在钯凸块上电镀形成金凸块，以形成钯金凸块模组，其中，形成的金凸块的厚度范围为0.05μm～3μm；通过电镀工艺在当前钯金凸块模组上继续堆叠形成至少一个钯金凸块模组。通过该方法形成的凸块结构，降低了单层钯电镀厚度，避免了钯析氢氢脆导致芯片失效的问题，极大的提高了半导体器件的可靠性。相较于现有的金凸块，成本可以下降50％～60％左右，成本下降接近该技术路线的极限。采用同一电镀设备即可实现凸块结构的制备，可实现量产。

公开(公告)号：CN119008434A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411117923.5

申请日：2024-08-15

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 张浩东 ,  时庆楠

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  G09F9/35 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345

Abstract: 本公开实施例提供一种显示驱动芯片封装方法及封装结构，所述方法包括：提供芯片，芯片的功能面设置有焊盘；在芯片的功能面上形成预设厚度的介电层，介电层在对应焊盘处形成有开口，开口露出于焊盘；在介电层以及开口处形成与焊盘电连接的凸块下金属层；在凸块下金属层对应开口处形成第一凸块；在第一凸块以及凸块下金属层上形成第二凸块，第二凸块背离芯片的表面为平整面。介电层可防止芯片表面电路裸露在空气，增加芯片可靠性；通过两次工艺分别形成构成凸块结构的第一凸块和第二凸块，在凸块结构的高度不变的情况下，有效减少凸块结构材料的用量；第二凸块背离芯片的表面为平整面，有效的降低或消除了凸块结构表面的粗糙度，改善后续压合效果。

公开(公告)号：CN118136603A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410301996.3

申请日：2024-03-15

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 张浩东 ,  时庆楠 ,  许灵珊

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

Abstract: 本公开实施例提供一种导电凸块结构及制备方法、半导体芯片封装结构，该导电凸块结构包括第一导电凸块和设置于第一导电凸块的第二导电凸块，第二导电凸块在第一导电凸块的正投影落在第一导电凸块的内侧，第二导电凸块设置有贯穿其厚度的至少一个溢流槽。在导电凸块结构总体厚度不变的情况下，第二导电凸块的尺寸小于第一导电凸块的尺寸，并且第二导电凸块设置有至少一个溢流槽，降低了导电凸块结构的材料用量，节约了成本；第二导电凸块设置有溢流槽，将键合引线通过热压键合工艺固定在第二导电凸块时，第二导电凸块受到键合引线的应力可以向溢流槽内消散，减小了第二导电凸块的压力，避免第二导电凸块因外力变形后剥落，提高芯片的可靠性。