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公开(公告)号：CN111638625B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010509455.1
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G03F1/00
Abstract: 本公开提出一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件，掩膜版包括掩膜基板，掩膜基板上设置有至少一个有效开窗区域以及环绕至少一个有效开窗区域设置的非开窗区域；至少一个有效开窗区域的外侧设置有至少一个无效开窗区域，无效开窗区域能够使得通过对应的有效开窗区域形成的显影区域在受热时不发生变形。本公开的掩膜版，在空旷区设计无效开窗区域，使得通过该无效开窗区域曝光显影后得到光刻胶上的显影非开窗区，将烘烤工艺的热膨胀效应转移至该显影非开窗区域，保护通过掩膜版上正常开窗区得到的光刻胶上的显影开窗区不受光阻膨胀效应影响，由于无效开窗区宽度小，曝光后的光刻胶层显影时无法显开，后续无法生产Bump，不会影响产品。
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公开(公告)号：CN111638625A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010509455.1
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G03F1/00
Abstract: 本公开提出一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件，掩膜版包括掩膜基板，掩膜基板上设置有至少一个有效开窗区域以及环绕至少一个有效开窗区域设置的非开窗区域；至少一个有效开窗区域的外侧设置有至少一个无效开窗区域，无效开窗区域能够使得通过对应的有效开窗区域形成的显影区域在受热时不发生变形。本公开的掩膜版，在空旷区设计无效开窗区域，使得通过该无效开窗区域曝光显影后得到光刻胶上的显影非开窗区，将烘烤工艺的热膨胀效应转移至该显影非开窗区域，保护通过掩膜版上正常开窗区得到的光刻胶上的显影开窗区不受光阻膨胀效应影响，由于无效开窗区宽度小，曝光后的光刻胶层显影时无法显开，后续无法生产Bump，不会影响产品。
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公开(公告)号：CN110379733A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910477637.2
申请日：2019-06-03
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开一种剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，包括清洗槽、晃动机构、载架和用于设置晶圆的料盒，所述晃动机构、所述载架和所述清洗槽沿一方向依次设置，所述清洗槽靠近所述载架的一侧上设有出液开口，所述出液开口的出液方向垂直于所述载架底，所述料盒倾斜设置于所述载架内，所述载架固定连接于所述晃动机构上，所述载架顶端设有驱动所述载架绕其轴心转动的旋转机构，从而使得晶圆倾斜并且能在药液中旋转，晶圆除了垂直方向受到分力，水平方向也能获得分力，更好冲击晶圆表面图形，药液和图形开孔内光刻胶反应充分，开孔内光刻胶不会残留。
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公开(公告)号：CN110133969B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910345715.3
申请日：2019-04-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于烘烤光刻胶的烘烤设备、烘烤系统及烘烤方法，所述烘烤设备包括：腔体，由相对设置的底板、顶板，以及位于所述底板和顶板之间的多个侧板围成，其中，一个所述侧板上设置有开口，所述顶板和非具有开口的所述侧板中的至少部分设置有至少一个第一发热元件；基台，设置于所述腔体内，所述基台内部设置有至少一个第二发热元件，所述基台的表面用于承载待烘烤元件；其中，所述待烘烤元件表面设置有光刻胶，所述第一发热元件和所述第二发热元件配合以烘烤所述光刻胶。通过上述方式，本申请能够在烘烤后使光刻胶的侧壁与待烘烤元件表面保持垂直。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110488573B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910668011.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件，所述晶圆光刻方法包括：在晶圆表面涂覆一层负性光刻胶；利用产品光罩的视场对至少位于所述晶圆边缘的所述负性光刻胶按预设的曝光单元区域进行逐个曝光，其中，位于所述晶圆边缘的所述曝光单元区域包括产品有效区和/或产品无效区；将空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘，将所述空白光罩的视场覆盖至少部分所述产品无效区，进行曝光，其中，所述空白光罩可用于至少两种规格的产品光罩；对所述晶圆表面的所述负性光刻胶进行显影。通过上述方式，本申请能够实现产品无效区被负性光刻胶完全覆盖。
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公开(公告)号：CN110133969A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910345715.3
申请日：2019-04-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于烘烤光刻胶的烘烤设备、烘烤系统及烘烤方法，所述烘烤设备包括：腔体，由相对设置的底板、顶板，以及位于所述底板和顶板之间的多个侧板围成，其中，一个所述侧板上设置有开口，所述顶板和非具有开口的所述侧板中的至少部分设置有至少一个第一发热元件；基台，设置于所述腔体内，所述基台内部设置有至少一个第二发热元件，所述基台的表面用于承载待烘烤元件；其中，所述待烘烤元件表面设置有光刻胶，所述第一发热元件和所述第二发热元件配合以烘烤所述光刻胶。通过上述方式，本申请能够在烘烤后使光刻胶的侧壁与待烘烤元件表面保持垂直。
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公开(公告)号：CN111613557A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010486214.X
申请日：2020-06-01
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , G03F7/20 , G03F7/38
Abstract: 本申请公开了一种晶圆处理设备，包括：第一传输单元、烘烤单元和加曝单元；所述第一传输单元至少用于将晶圆由烘烤单元运输至所述加曝单元；或/和，所述第一传输单元至少用于将晶圆由所述加曝单元运输至所述烘烤单元，本申请提供的晶圆处理设备包括了烘烤和加曝两种功能，并通过第一传输单元将晶圆在烘烤单元和加曝单元之间的运输，从而实现了通过一台设备能够自动完成至少烘烤和加曝两道工序，满足对晶圆表面光刻胶的加固要求；从而避免了人工操作的风险，提升了生产效率，降低了机台成本。
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公开(公告)号：CN110488573A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910668011.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件，所述晶圆光刻方法包括：在晶圆表面涂覆一层负性光刻胶；利用产品光罩的视场对至少位于所述晶圆边缘的所述负性光刻胶按预设的曝光单元区域进行逐个曝光，其中，位于所述晶圆边缘的所述曝光单元区域包括产品有效区和/或产品无效区；将空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘，将所述空白光罩的视场覆盖至少部分所述产品无效区，进行曝光，其中，所述空白光罩可用于至少两种规格的产品光罩；对所述晶圆表面的所述负性光刻胶进行显影。通过上述方式，本申请能够实现产品无效区被负性光刻胶完全覆盖。
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公开(公告)号：CN211928379U
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202020606984.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种曝光装置，包括工件台，用于承载并固定待曝光物体，且工件台的承载面设置有第一对位标记；非透光件，设置于工件台的承载面一侧，以使得待曝光物体被非透光件遮挡的区域不被曝光，且非透光件远离工件台的表面设置有第二对位标记；检测组件，用于根据第一对位标记和第二对位标记判断工件台和非透光件之间的相对位置关系是否满足预设条件；调整组件，用于在工件台和非透光件之间的相对位置关系不满足预设条件时，调整工件台或非透光件的位置，以使得工件台和非透光件之间的相对位置关系满足预设条件。本申请公开的曝光装置利用非透光件选择性保护待曝光物的部分区域时，能够提高非透光件的定位准确性。
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