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公开(公告)号:CN119108341A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411118848.4
申请日:2024-08-15
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种倒装封装电子器件增强互连的方法,包括如下步骤:(a)采用编织镍作为倒装封装电子器件的支撑件,对编织镍表面先在5%硫酸+95%乙醇的溶液中进行浸泡处理10s,再经过乙醇溶液超声10s后进行干燥处理;(b)将编织镍浸入助焊剂;(c)将编制镍浸入熔融低温金属,使熔融低温金属充分填充编织镍中的孔隙;(d)对处理过后的编织镍采用超声辅助热压键合来增强倒装封装电子器件互连性。