-
公开(公告)号:CN103171207A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201310070809.7
申请日:2013-03-06
Applicant: 厦门理工学院
IPC: B32B18/00 , C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种热沉材料及其制备方法,该热沉材料包括石墨基体,在该石墨基体的顶部以冶金结合方式结合有一层碳化硅层,该石墨基体为导热系数大于150w/(m·K)的石墨片材或者是以石墨为原料的石墨复合片材或石墨复合板材。由于本发明将石墨和碳化硅结合,形成石墨-碳化硅的具有冶金结合界面的热沉材料,而这种材料具有优良的绝缘性、导热性和较低的膨胀系数。而且采用石墨-碳化硅涂层法,使涂层与石墨基体形成冶金结合,提高了材料的致密度和结合度,进一步提升了材料的导热-散热性能。
-
公开(公告)号:CN103171207B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201310070809.7
申请日:2013-03-06
Applicant: 厦门理工学院
IPC: B32B18/00 , C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种热沉材料及其制备方法,该热沉材料包括石墨基体,在该石墨基体的顶部以冶金结合方式结合有一层碳化硅层,该石墨基体为导热系数大于150w/(m·K)的石墨片材或者是以石墨为原料的石墨复合片材或石墨复合板材。由于本发明将石墨和碳化硅结合,形成石墨-碳化硅的具有冶金结合界面的热沉材料,而这种材料具有优良的绝缘性、导热性和较低的膨胀系数。而且采用石墨-碳化硅涂层法,使涂层与石墨基体形成冶金结合,提高了材料的致密度和结合度,进一步提升了材料的导热-散热性能。
-
公开(公告)号:CN202797069U
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201220454286.7
申请日:2012-09-07
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本实用新型公开了一种LED芯片封装结构,包括芯片、连接导线、电极及封装外壳;所述的芯片下方设置有高导热绝缘层,该高导热绝缘层的下方又设置有高导热体,该高导热体的下部形成有散热体伸出所述的封装外壳之外。通过该结构,芯片产生的热量可以被高导热绝缘层吸收,并通过高导热体直接导到灯珠之外,从而可以提高散热效果。
-
-