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公开(公告)号：CN118883706A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410991922.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/90
Abstract: 本发明公开了一种非扫查式大面积缺陷检测与缺陷位置及参数反演方法。其中，所述方法包括：提供若干含屏蔽装置的阵元线圈，将该若干含屏蔽装置的阵元线圈排列于待检测表面；通过分时激励的方式控制任一阵元线圈激励产生电压信号，令该阵元线圈相邻的阵元线圈采集远场涡流信号；依次激励阵元线圈并重复检测过程，直至待测面检测结束；基于采集的不同接收线圈的输出信号或该输出信号与无缺陷参考试块上接收线圈输出信号的差分信号检测缺陷；若存在缺陷，将输出信号或差分信号与预建立的不同接收线圈输出信号或差分信号与缺陷位置/参数关系数据库比对，对缺陷进行定位和定量检测。本发明通过在传统的阵列涡流检测中激发远场涡流效应，减少了阵元线圈的数量，实现在线、高效、非扫查的大面积金属平板的缺陷检测与缺陷的位置及参数的准确反演。
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