一种氧化锡薄膜的制备方法及钙钛矿光电器件

    公开(公告)号:CN117355199A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311404453.6

    申请日:2023-10-27

    Abstract: 本发明公开了一种氧化锡薄膜的制备方法及钙钛矿光电器件,其中氧化锡可来自氧化锡纳米颗粒、氧化锡溶胶分散液及制备的氧化锡前驱体;可通过旋涂、刮涂、喷涂、狭缝涂布、卷对卷印刷等方式沉积,并使用低温处理得到氧化锡薄膜,低温处理可通过气体吹扫或真空闪蒸技术进行;其中气体吹扫可通过气枪、气刀、气体喷头等气吹设备进行;气体可使用氮气,惰性气体等保护气体。本发明提供的氧化锡薄膜制备方式,依靠于低温技术,能够快速获得均匀的氧化锡薄膜。无需加热的气体吹扫和真空闪蒸可用于多种场景,薄膜的稳定性与重复性提升,该技术可放大用于大面积光伏器件/模组或者其他光电器件中电子传输层的制备。

    一种金属离子渐变掺杂的氧化镍空穴传输层及其制备方法

    公开(公告)号:CN116801690A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310922031.1

    申请日:2023-07-26

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属离子渐变掺杂氧化镍空穴传输层及其制备方法,该备方法包括以下步骤:第一步:将镍盐溶解于绿色溶剂中制备成NiOx前驱液1,并按照比例在前驱液1中掺入其他金属盐制备成前驱液2;第二步:使用前驱液2制备金属离子掺杂氧化镍层;第三步:使用前驱液1制备氧化镍无掺杂层;第四步:对双层空穴传输层进行高温后处理使下层掺杂离子向上迁移形成渐变结构。本发明制备的金属离子渐变掺杂的NiOx空穴传输层具有较高的空穴迁移能力,同时也能够避免掺杂离子引入对钙钛矿的破坏,进而提升器件的效率和稳定性。本发明提供的氧化镍空穴传输材料,可以应用于光电器件,尤其是倒置结构钙钛矿太阳能电池中的空穴传输层。

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