公开(公告)号：CN103325674B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310195128.3

申请日：2013-05-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 詹东平 ,  张杰 ,  田中群 ,  贾晶春 ,  韩联欢 ,  袁野 ,  田昭武

IPC: H01L21/3063 ,  B81C1/00 ,  C25F3/12

Abstract: 本发明提供了一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法，可在具有简单微结构的弹性模板电极上原位屈曲产生复杂多级微纳结构，同时利用约束刻蚀技术将其屈曲得到的复杂多级微纳结构批量复制到基底材料上。所述方法包括：弹性模板电极简单微结构的设计与制备，以使具有简单微结构的模板电极在屈曲时产生所需的复杂三维多级微纳结构；模板电极上应力屈曲的产生及其控制，以使模板电极可控地产生屈曲形变；屈曲结构的复制，利用约束刻蚀技术使模板电极上屈曲得到的多级微纳结构直接复制到刻蚀基底上。

公开(公告)号：CN103325674A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310195128.3

申请日：2013-05-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 詹东平 ,  张杰 ,  田中群 ,  贾晶春 ,  韩联欢 ,  袁野 ,  田昭武

IPC: H01L21/3063 ,  B81C1/00 ,  C25F3/12

Abstract: 本发明提供了一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法，可在具有简单微结构的弹性模板电极上原位屈曲产生复杂多级微纳结构，同时利用约束刻蚀技术将其屈曲得到的复杂多级微纳结构批量复制到基底材料上。所述方法包括：弹性模板电极简单微结构的设计与制备，以使具有简单微结构的模板电极在屈曲时产生所需的复杂三维多级微纳结构；模板电极上应力屈曲的产生及其控制，以使模板电极可控地产生屈曲形变；屈曲结构的复制，利用约束刻蚀技术使模板电极上屈曲得到的多级微纳结构直接复制到刻蚀基底上。